Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах Al_xGa_1-xAs/GaAs(100)

Домашевская Э.П.¹, Середин П.В.¹, Долгополова Э.А.¹, Занин И.Е.¹, Арсентьев И.Н.², Винокуров Д.А.², Станкевич А.Л.², Тарасов И.С.²

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 мая 2004 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

PDF версия

Дифракционным и рентгенографическим методами определены параметры решетки эпитаксиальных твердых растворов Al_xGa_1-xAs с различным содержанием AlAs (x) в гетероструктурах Al_xGa_1-xAs/GaAs(100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. В эпитаксиальных гетероструктурах с x~ 0.50 обнаружена фаза упорядочения (сверхструктурная фаза) AlGaAs₂ с постоянной решетки, меньшей, чем параметры решеток твердого раствора Al_0.50Ga_0.50As и монокристаллической подложки GaAs.

Ж.И. Алфёров. ФТП, 32 (1), 3 (1998)
Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых, Д.А. Винокуров, В.П. Улин, С.Г. Конников, М.В. Шишков, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 37 (8), 1017 (2003)
Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, S.G. Konnikov, V.R. Larionov, G.N. Shelovanova. Kristall und Technik, 11, 1013 (1976)
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. [Пер. с англ. под ред. Л. Ченга, К. Плога (М., Мир, 1989)]
И.Н. Арсентьев, Н.А. Берт, С.Г. Конников, В.Е. Уманский. ФТП, 14 (1), 96 (1980)
D. Zhou, B.F. Usher, J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 1461 (2001)
Z.R. Wasilewski, M.M. Dion, D. Lockwood, P. Poole, R.W. Streater, A.J. Spring Thorpe. J. Appl. Phys., 81, 1683 (1997)
S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
М.А. Герман. Полупроводниковые сверхрешетки (Всесоюзный центр переводов, 1987)
Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник, под ред. В.С. Земскова и др. (М., Наука, 1978)
Сайт ФТИ им. Иоффе, Спб. Характеристики полупроводниковых материалов: www.ioffe.ru
П.В. Середин. Конденсированные среды и межфазные границы, 5, N 1 (2003)
A.S.T.M. Diffraction Data Cards 1972
T.S. Kuan, T.F. Kuech, W.I. Wang. Phys. Rev. Lett., 54, 201 (1985)
B. Koiller, A.M. Davidovich. Phys. Rev. Lett., 41, 3670 (1990)
E. Muller, B. Patterson et al. PSI annual report 2000. www.physik.unizh.ch/reports/report2000.html
B.D. Patterson et al. PSI annual report 1997. www.physik.unizh.ch/reports/report1999.html
Alex Zunger. MRS-IRS bulletin/ July 1997. http://www.sst.nrel.gov/images/mrs97
В. Пирсон. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов (М., Мир, 1977) ч. 1, 2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель