Вышедшие номера
Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~ 2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов
Брудный В.Н.1, Гриняев С.Н.1, Колин Н.Г.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических, оптических свойств и особенностей отжига (до 800oC) радиационных дефектов в кристаллах InAs n- и p-типа проводимости, облученных электронами с энергией ~ 2 МэВ интегральными потоками до D=1· 1019 см-2. Выполнены расчеты электронной структуры нерелаксированных дефектов VAs, VIn, AsIn и InAs. Обсуждается связь электрофизических свойств и положения уровня Ферми в облученном InAs с электронной структурой собственных дефектов и особенностями зонного спектра полупроводника.