Вышедшие номера
Анизотропия эффективной массы Gamma-электронов в квантовой яме GaAs/(AlGa)As
Вдовин Е.Е.1, Ханин Ю.Н.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 23 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Представлены результаты исследования транспорта электронов через двухбарьерные гетероструктуры AlAs/GaAs/AlAs, выращенные на подложках с ориентацией (001) и (311), анализ результатов которых позволяет получить информацию об анизотропии электронных подзон в квантовой яме GaAs. Дисперсия в плоскости квантовой ямы E(k||) исследовалась с помощью магнитотуннельной спектроскопии при приложении магнитного поля B в плоскости квантовой ямы (т. е. перпендикулярно туннельному току). Амплитуда и изменение положения по напряжению резонансных пиков в туннельном токе оказались чувствительными как к величине, так и к ориентации магнитного поля относительно кристаллографических осей в плоскости квантовой ямы. Помещая монослой InAs в различные позиции внутри квантовой ямы GaAs, мы могли модифицировать волновые функции электронов и исследовать природу анизотропии электронных подзон в такой квантовой яме.