Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Новый элемент памяти на кремниевых нанокластерах в диэлектрике с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO₂ для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства

Гриценко В.А.¹, Насыров К.А.², Гриценко Д.В.¹, Новиков Ю.Н.¹, Асеев А.Л.¹, Ли Д.Х.³, Ли Д.-В.³, Ким Ч.В.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия Institute of Automation and Electrometry, Siberian BranchRussian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Institute of Automation and Electrometry, Siberian BranchRussian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Samsung Advanced Institute of Technology, P. O. Box 111, Suwon 440-600, Korea

Поступила в редакцию: 11 августа 2004 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Моделировались характеристики записи / стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний / оксид / кремниевая-точка / оксид / полупроводник, в котором в качестве блокирующего диэлектрика использовались SiO₂ и альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO₂. Установлено, что применение альтернативного диэлектрика приводит к ряду эффектов: уменьшается паразитная инжекция из поли-Si, увеличивается поле в туннельном оксиде, появляется возможность увеличить толщину туннельного диэлектрика и, следовательно, увеличить время хранения информации, появляется возможность использовать более низкие напряжения записи / стирания. Программирование импульсом амплитудой ±11 В и длительностью 10 мс позволяет получить через 10 лет окно памяти ~3 В.

S.M. Sze. In: Future Trends in Microelectronics, ed. by S. Luryi, J. Xu and A. Zaslavsky (John Wiley \& Sons, Inc., 1999) p. 135
P. Pavan, R. Bez, P. Olivo, E. Zanony. Proc. IEEE, 85 (5), 1248 (1997)
J. Bu, M.H. White. Sol. St. Electron., 45, 113 (2001)
International Technology Roadmap, http : // public.itrs.net /, (2003)
K. Komiya, Y. Omura. J. Appl. Phys., 92 (5), 2953 (2002)
Y.I. Hanafi, S. Tiwari, I. Khan. IEEE Trans. Electron. Dev., 43 (9), 1553 (1996)
Y.-C. King, T.-J. King, C. Hu. IEEE Electron. Dev. Lett., 20 (8), 409 (1999)
B. De Salvo, G. Gibaudo, G. Pananakakis, P. Masson, T. Baron, N. Buffet, A. Fernandes, B. Guillaumot. IEEE Trans. Electron. Dev., 48 (8), 1789 (2001)
Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pen, E.C. Kan. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (9), 1614 (2002)
M. She, T.-J. King. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (9), 1934 (2003)
D.-W. Kim, T. Kim, S.K. Banerjee. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (9), 1823 (2003)
J.J. Lee, X. Wang, W. Bai, N. Lu, D.-L. Kwong. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (10), 2067 (2003)
G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001)
E.P. Gusev, E. Cartier, D.A. Buchanan, M. Gribelyuk, M. Copel, H. Okorn-Schmidt, C. D'Emic. Microelectronic Engin., 59, 341 (2001)
Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов (М., Техносфера, 2002)
V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov. Proc. 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM), November 18--20, Grenoble, France (2002) c. 179
V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev. Микроэлектроника, 32 (2), 69 (2003)
V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov, A.L. Aseev, S.Y. Yoon, J.-W. Lee, E.-H. Lee, C.W. Kim. Sol. St. Electron., 47 (10), 1651 (2003)
C. Lee, S. Hur, Y. Shin, J. Ghoi, D. Park, K. Kim. Abstracts 2002 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan (2002) c. 162
V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B, 57, R2081 (1997)
В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
V.V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, G.J. Adrianssen, M.M. Heyns. Microelectronic Engin., 59, 335 (2001)
M. Houssa, M. Tuominen, M. Naili, V. Afanasiev, A. Stesmans, S. Haukka, M.M. Heyns. J. Appl. Phys., 87, 8615 (2000)
S. Miyazaki, M. Narasaki, M. Ogasawara, M. Hirose. Microelectronic Engin., 59, 373 (2001)
В.И. Белый, В.В. Воскобойников, А.С. Гиновкер, Е.А. Криворотов, С.П. Синица. Микроэлектроника, 2, 182 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель