Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ ПЭМ-изображения квантово-каскадной лазерной гетероструктуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии

Афоненко Ан.А.¹, Афоненко А.А.

¹, Ушаков Д.В.¹, Багаев Т.А.², Ладугин М.А.², Мармалюк А.А.², Пушкарев С.С.^3,4, Хабибуллин Р.А.^3,4

¹Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

²"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия “Polyus” Research Institute of M.F. Stelmakh Joint Stock Company, Moscow, Russia

³Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

⁴Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия

Email: afonenko@bsu.by

Поступила в редакцию: 15 апреля 2024 г.

В окончательной редакции: 20 июня 2024 г.

Принята к печати: 20 июня 2024 г.

Выставление онлайн: 24 июля 2024 г.

PDF версия

Выполнен анализ изображения квантово-каскадной гетероструктуры, сделанного с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Гетероструктура, содержащая 185 периодов и четыре квантовые ямы GaAs/Al_0.15Ga_0.85As в каждом периоде, была выращена методом МОС-гидридной эпитаксии. Для выявления различий в отклонении состава на границе "барьер/квантовая яма" и "квантовая яма/барьер" при интерполяции экспериментального профиля гетерограниц были использованы различные законы размытия состава (нормальный, экспоненциальный и несимметричный экспоненциальный). Теоретически исследовано влияние конечной толщины образца на характеристики флуктуаций состава, получены спектры и автокорреляционные функции флуктуаций состава. Проведены оценки толщины шероховатостей гетерограниц и их корреляционной длины. Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, просвечивающая электронная микроскопия, гетерограница, GaAs, AlGaAs.

X. Lu, E. Luna, L. Schrottke, K. Biermann, H.T. Grahn. Appl. Phys. Lett., 113 (17), 172101 (2018)
Y.V. Flores, A. Albo. IEEE J. Quant. Electron., 53 (3), 2300208 (2017)
Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, А.А. Дубинов, В.И. Гавриленко, О.Ю. Волков, Н.В. Щаврук, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин. Квант. электрон., 49 (10), 913 (2019)
A.E. Yachmenev, S.S. Pushkarev, R.R. Reznik, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Progr. Cryst. Growth and Characterization Mater., 66 (2), 100485 (2020)
P. Johansson. Phys. Rev. B, 46 (19), 12865 (1992)
T. Unuma, T. Takahashi, T. Noda, M. Yoshita, H. Sakaki, M. Baba, H. Akiyama. Appl. Phys. Lett., 78 (22), 3448 (2001)
T. Unuma, M. Yoshita, T. Noda, H. Sakaki, H. Akiyama. J. Appl. Phys., 93 (3), 1586 (2003)
K.A. Krivas, D. O. Winge, M. Franckie, A. Wacker. J. Appl. Phys., 118, 114501 (2015)
M. Franckie, D.O. Winge, J. Wolf, V. Liverini, E. Dupont, V. Trinite, J. Faist, A. Wacker. Opt. Express, 23 (4), 5201 (2015)
S. Fathololoumi, E. Dupont, C.W.I. Chan, Z.R. Wasilewski, S.R. Laframboise, D. Ban, A. Matyas, C. Jirauschek, Q. Hu, H.C. Liu. Opt. Express, 20 (4), 3866 (2012)
Р.А. Хабибуллин, К.В. Маремьянин, Д.С. Пономарев, Р.Р. Галиев, А.А. Зайцев, А.И. Данилов, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, А.Н. Клочков, А.А. Афоненко, Д.В. Ушаков, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко. ФТП, 55 (11), 989 (2021)
L. Bosco, M. Franckie, G. Scalari, M. Beck, A. Wacker, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 115, 010601 (2019)
A. Khalatpour, A. K. Paulsen, C. Deimert, Z.R. Wasilewski, Q. Hu. Nature Photonics, 15, 16 (2021)
A. Khalatpour, A. Tam, S.J. Addamane, Z. Wasilewski, Q. Hu. Appl. Phys. Lett., 122, 161101 (2023)
Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.И. Данилов, Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, А.А. Зайцев, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко, Р.Р. Галиев, А.Ю. Павлов, С.С. Пушкарев, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин. Письма ЖТФ, 48 (10), 16 (2022)
D.V. Ushakov, A.A. Afonenko, R.A. Khabibullin, V.K. Kononenko, I.S. Manak. Vestsi Natsyianal'nai akademii navuk Belarusi. Seryia fizika-matematychnykh navuk. Proc. National Academy of Sciences of Belarus. Ser. Phys. Mathematics, 58 (2), 237 (2022)
Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, Д.С. Пономарев, С.С. Пушкарев, В.И. Гавриленко, Р.А. Хабибуллин. Изв. вузов. Радиофизика, LXV, N 5-6, 505 (2022)
Ан.А. Афоненко, А.А. Афоненко, Д.В. Ушаков, С.С. Пушкарев, Р.А. Хабибуллин. Тр. XXV Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород), 2, с. 566 (2021).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель