Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излучением
Поклонский Н.А.1, Лапчук Т.М.1, Горбачук Н.И.1, Николаенко В.А.2, Бачучин И.В.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия

Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
Исследованы кристаллические зерна природного алмаза типа II a (средняя масса зерна ~ 1 мг), облученные в атомном реакторе флюенсом ~ 1021 см-2 нейтронов. Облучение приводит к уменьшению макроскопической плотности зерна на 40%. Впервые зарегистрирован квадратурный сигнал электронного парамагнитного резонанса с g-фактором 2.00006 и временем парамагнитной релаксации >10-5 c. Возможной причиной появления этого сигнала в облученном алмазе являются метастабильные нескомпенсированные электронные спины, находящиеся на внутренней поверхности нанопор. Подобный сигнал наблюдается и в порошке фуллерита C60. Результаты спектроскопии электронного парамагнитного резонанса облученных алмазов согласуются с данными спектроскопии комбинационного рассеяния света (появление аномально широкой полосы с максимумом при 950 см-1 вместо узкой одиночной линии 1332 cм-1 в исходном образце) и электронной микроскопии (появление наноструктурированности). Установлено, что наноструктурирование алмаза под воздействием ионизирующего излучения приводит к появлению электропроводности на постоянном токе с энергией активации 0.17 эВ в диапазоне температур 30-300oC.
- С.К. Итон, Ю.Е. Евстефеева, Дж.К. Энгус, А.Б. Эндерсон, Ю.В. Плесков. Электрохимия, 39 (2), 170 (2003)
- В.С. Вавилов. УФН, 167 (1), 17 (1997)
- В.К. Малиновский. ФТТ, 41 (5), 805 (1999)
- И.П. Чернов, А.А. Мамонтов, П.А. Черданцев, Б.В. Чахлов. Изв. вузов. Физика, 37 (12), 58 (1994)
- S.M. Zaritsky, P.A. Platonov, Yu.A. Nikolaev, B. Osmera, V. Valenta. In: Reactor Dosimetry: Radiation Metrology and Assessment, ASTM STP 1398 (American Society for Testing and Materials, West Conshohocken, PA, 2001) p. 53
- В.А. Николаенко, В.И. Карпухин. Измерение температуры с помощью облученных материалов (М., Энергоатомиздат, 1986)
- М.Я. Кац. Новые методы исследования минералов в гравитационном поле (М., Наука, 1966)
- J.R. Harbridge, G.A. Rinard, R.W. Quine, S.S. Eaton, G.R. Eaton. J. Magn. Res., 156 (1), 41 (2002)
- В.Д. Шиманович, А.И. Золотовский, И.П. Смягликов, С.М. Панковец. ЖПС, 68 (3), 393 (2001)
- Э.М. Шпилевский. В сб.: Алмазные пленки и пленки родственных материалов (ННЦ ХФТИ, Харьков, Констаната, 2003) с. 242
- C.A. Reed, R.D. Bolskar. Chem. Rev., 100 (3), 1075 (2000)
- Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, Н.М. Лапчук. Аморфные и микрокристаллические полупроводники: Сб. тр. IV Межд. конф. С.-Петербург, 5--7 июля 2004 г. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб., 2004) с. 91
- Э.Л. Нагаев. ЖЭТФ, 100 (3(9)), 961 (1991)
- Р.Б. Моргунов. УФН, 174 (2), 131 (2004)
- Н.А. Поклонский, И.В. Потоцкий, Н.И. Горбачук. Аморфные и микрокристаллические полупроводники: Сб. тр. IV Межд. конф., С.-Петербург, 5--7 июля 2004 г. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб., 2004) с. 151
- С.В. Холодкевич, В.И. Березкин, В.Ю. Давыдов. ФТТ, 41 (8), 1412 (1999)
- А.М. Данишевский, Э.А. Сморгонская, С.К. Гордеев, А.В. Гречинская. ФТТ, 43 (1), 132 (2001)
- А.Е. Алексенский, М.В. Байдакова, А.Я. Вуль, В.Ю. Давыдов, Ю.А. Певцова. ФТТ, 39 (6), 1125 (1997)
- В.А. Резников, Ю.С. Полеховский. Письма ЖТФ, 26 (15), 94 (2000)
- P.J. Horoyski, M.L.W. Thewalt, T.R. Anthony. Phys. Rev. B, 54 (2), 920 (1996)
- М.И. Новгородова. ДАН, 367 (2), 241 (1999)
- R. Coates, E.W.J. Mitchell. Adv. Phys., 24 (5), 593 (1975)
- V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212 (4), 429 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.