Начальные стадии роста слоев Ge и Si на сингулярной поверхности Si(111) демонстрируют необычную морфологию ростовой поверхности при осаждении с низкой скоростью: образование треугольных островков высотой до трех атомных слоев. С помощью моделирования по методу Монте-Карло показано, что дополнительный барьер 0.5-0.6 эВ для встраивания атомов на димеризованные связи на краях треугольных островков приводит к ускоренному росту островков в высоту и к изменению ориентации треугольников. Предложена гипотеза, объясняющая начальный рост многослойных островков и ограничение их высоты тремя бислоями влиянием краевых димеров, ориентация которых изменяется при достижении ступенью, перпендикулярной направлениям < 1 1 2>, высоты в 3 бислоя. С помощью сканирующей туннельной микроскопии обнаружены новые особенности атомной структуры регулярных трехбислойных ступеней на поверхности Si(557). Результаты анализа изображений, полученных на сканирующем туннельном микроскопе, подтверждают гипотезу о формировании ряда димеров на краю трехбислойной ступени.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.