Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2005, выпуск 9 » Статья стр. 1034
<<<>>>
Точная самокомпенсация проводимости в кристалле Cd0.95Zn0.05Te : Cl в широком интервале давлений пара Cd
Матвеев О.А.1, Терентьев А.И.1, Зеленина Н.К.1, Гуськов В.Н.2, Седов В.Е.1, Томасов А.А.1, Карпенко В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.
PDF версия
Процесс самокомпенсации в кристаллах твердого раствора Cd0.95Zn0.05Te : Cl изучался путем отжигов монокристаллов под управляемым давлением пара Cd с последующим измерением эффекта Холла, фотолюминесценции, времени жизни и подвижности носителей заряда и памяти фототока в отожженных кристаллах. В результате отжигов были определены термические условия получения образцов с низкой проводимостью и малой концентрацией свободных носителей заряда (107-1011 см-3). Показано, что инверсия проводимости p-> n наблюдается в этих кристаллах при более высоких концентрациях свободных носителей заряда (n,p~109 см-3), а кривая зависимости концентрации электронов от давления кадмия более пологая, чем в кристаллах CdTe : Cl. Для объяснения полученных результатов привлечена модель самокомпенсации с участием заряженных собственных точечных дефектов акцепторов с глубоким уровнем. Сделано предположение, что этот уровень принадлежит вакансии цинка, сохраняющей активность при высоких давлениях кадмия.
  1. Proc. 10th Int. Conf. II--VI Compounds (Bremen, 2001) [Phys. Status Solidi B, 229, 1--1116 (2002)]
  2. Proc. 11th Int. Conf. II--VI Compounds (Niagara, 2003) [Phys. Status Solidi C, 1, 621--1079 (2004)]
  3. D. de Nobel. Phil. Res. Rep., 14, 361 (1959)
  4. G. Mandel, F.F. Morehead, P.R. Wagner. Phys. Rev. A, 136, 826 (1964)
  5. Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969) с. 654
  6. K. Zanio. Semiconductor and semimetals. (San Francisco--London--N. Y., 1978) v. 13, p. 230
  7. J. Marfaing. Thin Sol. Films, 387, 123 (2001)
  8. V. Babentsov, V. Corregider, K. Benz, M. Fiederle, T. Felgen, E. Dieguez. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 458, 85 (2001)
  9. K. Khachaturyan, M. Kaminska, E.R. Weber. Phys. Rev. B, 40, 6304 (1989)
  10. D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 72, 534 (1994)
  11. C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 52, 11 884 (1995)
  12. О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 34, 1316 (2000)
  13. О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 27, 1894 (1993)
  14. О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 32, 159 (1998)
  15. O.A. Matveev, A.I. Terent'ev, V.P. Karpenko, N.K. Zelenina, A. Fauler, M. Fiederle, K.W. Benz. Phys. Status Solidi B, 229, 1073 (2002)
  16. О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 29, 378 (1995)
  17. J.H. Greenberg, V.N. Guskov, M. Fiederle, K. Benz. J. Cryst. Growth, 270, 69 (2004)
  18. K.V. Kiseleva, U.V. Klevkov, S.N. Maksimovsky, S.A. Medvedev, N.N. Santurina. Proc. Int. Symp. Cadmium Telluride (Strusburg, 1971), ed. by P. Siffert, A. Cornet (Centre de Resich des Nucl.) p. XII
  19. J.H. Greenberg, V.N. Guskov, V.B. Lazarev, O.V. Shekershneva. J. Solid St. Chem., 102, 382 (1993)
  20. F.T. Smith. Metall. Trans., 1, 617 (1970)
  21. Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение, AIIBVI. Справочные таблицы (М., Мин. обороны, 1982) с. 208
  22. C.B. Davis, D.D. Allred, A. Reyes-Mena, O. Gonzales, B.C. Hess, W.P. Allred. Phys. Rev. B, 47, 13 363 (1993)
  23. W. Stadler, D.M. Hofman, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Weigel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz. Phys. Rev. B, 51, 10 619 (1995)
  24. M.R. Lorenz, B. Segal, H.H. Woodbury. Phys. Rev., 134, 751 (1964)
  25. G. Mandel. Phys. Rev., 134, 1073 (1964)
  26. Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 4, 370 (1970)
  27. N.V. Agrinskaja, O.A. Matveev. Rev. Phys. Appliquee, 12, 235 (1977)
  28. Н.К. Зеленина, А.А. Томасов. Электрон. техн., сер. Материалы, 7, 77 (1983)
  29. N.K. Zelenina, S.N. Ignatov, V.P. Karpenko, L.V. Maslova, O.A. Matveev, D.A. Popov, A.I. Terent'ev. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 283, 274 (1989)
  30. В.П. Карпенко, О.А. Матвеев, А.А. Томасов. Электрон. моделирование, 11, 92 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme