Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Потенциальное быстродействие алмазного полевого транзистора на приповерхностном двумерном дырочном газе

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук», Госзадание, FFUF-2024-0032

Кукушкин В.А.

^1,2, Кукушкин Ю.В.²

¹Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия Federal Research Center A.V. Gaponov-Grekhov Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Federal Research Center A.V. Gaponov-Grekhov Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: vakuk@ipfran.ru, yuriy.kukushkinn@gmail.com

Поступила в редакцию: 15 апреля 2024 г.

В окончательной редакции: 20 июня 2024 г.

Принята к печати: 20 июня 2024 г.

Выставление онлайн: 8 октября 2024 г.

PDF версия

Показано, что обнаруженная недавно существенная вариация подвижности дырок в двумерном дырочном газе, находящемся под покрытой атомами водорода поверхностью искусственного алмаза, при изменении наложенного на него сильного ортогонального электрического поля может быть использована для создания быстродействующего алмазного полевого транзистора. Согласно проведенным расчетам, при реалистичных параметрах такого устройства время более чем 50% модуляции тока между истоком и стоком затворным напряжением быстро уменьшается с ростом слоевой концентрации дырок в формируемом этим газом приповерхностном проводящем канале и при ее величине 7· 10¹³ см^-2 достигает 7 пс. Ключевые слова: алмаз, быстродействующий полевой транзистор, подвижность.

Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors, ed. by S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot, M. Suzuki (Duxford, Elsevier, 2018)
Optical Engineering of Diamond, ed. by R.P. Mildren and J.R. Rabeau (Weinheim, Wiley-VCH Verlag \& Co. KGaA, 2013)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., John Wiley \& Sons, 1981).]
G. Akhgar, O. Klochan, L.H. Willems van Beveren, M.T. Edmonds, F. Maier, B.J. Spen-cer, J.C. McCallum, L. Ley, A.R. Hamilton, C.I. Pakes. Nano Lett., 16, 3768 (2016)
Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела (М., Мир, 1979). [Пер. с англ.: N.W. Ashcroft, N.D. Mermin. Solid State Physics (N. Y., Holt, Rinehart and Winston, 1976)]
J. Bousquet, T. Klein, M. Solana, L. Saminadayar, C. Marcenat, E. Bustarret. Phys. Rev. B, 95, 161301 (2017)
R.S. Balmer, I. Friel, S. Hepplestone, J. Isberg, M.J. Uren, M.L. Markham, N.L. Palmer, J. Pilkington, P. Huggett, S. Majdi, R. Lang. J. Appl. Phys., 113, 033702 (2013)
Y. Gurbuz, O. Esame, I. Tekin, W.P. Kang, J.L. Davidson. Solid-State Electron., 49, 1055 (2005)
J.L. Liu, C.M. Li, R.H. Zhu, J.C. Guo, L.X. Chen, J.J. Wei, L.F. Hei, J.J. Wang, Z.H. Feng, H. Guo, F.X. Lv. Appl. Surf. Sci., 284, 798 (2013)
C.M. Li, J.L. Liu, L.X. Chen, J.J. Wei, L.F. Hei, J.J. Wang, Z.H. Feng, H. Guo. Phys. Status Solidi C, 11, 1692 (2014)
S.K. Hong, J.G. Oh, W.S. Hwang, B.J. Cho. Semicond. Sci. Technol., 32, 045009 (2017)
J.-M. Baek, S.-W. Son, J.H. Park, J.-K. Park J.-G. Kwak, J. Yoon, D.-S. Bang, J.-H. Lee, T. Kim, D.-H. Kim. Solid-State Electron., 147, 58 (2018)
I.C. Cherik, S. Mohammadi. Appl. Phys. A, 127, 525 (2021)
M. Asad; S. Majdi; A. Vorobiev, K. Jeppson, J. Isberg, J. Stake. IEEE Electron Dev. Lett., 43, 300 (2022)
N. Thoti, Y. Li. Nanoscale Res. Lett., 17, 53 (2022)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель