Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2005, выпуск 10 » Статья стр. 1173
<<<>>>
Магнетизм кристаллов AIIIBV, легированных редкими землями
Баграев Н.Т.1, Романов В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
PDF версия
Методика измерений статической магнитной восприимчивости используется для изучения процессов локального магнитоупорядочения в кристаллах AIIIBV, содержащих примеси редких земель. Температурные и полевые зависимости статической магнитной восприимчивости демонстрируют слабый парамагнетизм при высоких температурах вследствие наличия в кристаллах AIIIBV(Ln) квазимолекулярных центров типа Ln2O3, внутри которых пары ионов Ln3+ антиферроупорядочены посредством обменного взаимодействия через валентные электроны кислорода. При низких температурах ключевую роль играет локализация электронов на мелких донорах, которая приводит через s-0.5ptf-обмен либо к парамагнетизму исследуемых кристаллов вследствие трансформации квазимолекул Ln2O3 из антиферро- в ферроупорядоченное состояние, либо к их суперпарамагнетизму в результате образования связанных спин-поляронов. Причем значения констант s-0.5ptf-обмена, определенные из температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости, аномально велики, что, по-видимому, обусловлено эффективной компенсацией спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием.
  1. S.T. Pantelides. In: Deep centers in semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (Gordon \& Breach, N.Y., 1986) p. 3
  2. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  3. В.Ф. Мастеров. ФТП, 18, 3 (1984)
  4. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Mater. Sci. Forum, 10--12, 435 (1986)
  5. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Sol. St. Commun., 51, 515 (1984)
  6. Н.Т. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ, 92, 968 (1987)
  7. S.A. Kazanskii, A.I. Ryskin, V.V. Romanov. Appl. Phys. Lett., 70, 1272 (1997)
  8. Д.Г. Андрианов, Э.П. Бочкарев, В.П. Гришин, Ю.А. Карпов, А.С. Савельев. ФТП, 8, 499 (1974)
  9. Д.Г. Андрианов, Э.П. Бочкарев, В.П. Гришин, Ю.А. Карпов, А.С. Савельев. ФТП, 12, 511 (1978)
  10. Н.Т. Баграев. Изв. АН СССР. Сер. физ., 47, 2331 (1983)
  11. Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников (М., Наука, 1979)
  12. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. ФТТ, 25, 1435 (1983)
  13. В.А. Касаткин, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП, 16, 173 (1982)
  14. H. Ennen, U. Kaufmann, G. Pomrenke, J. Schneider, J. Windscheif, A. Axmann. J. Cryst. Growth, 64, 165 (1983)
  15. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann. J. Appl. Phys., 57, 2182 (1985)
  16. G. Aszodi, J. Weber, Ch. Uihlein, L. Pu-lin, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Schneider, J. Windscheif. Phys. Rev. B, 31, 7767 (1985)
  17. В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, И.Л. Лихолит, И.А. Терлецкий. ФТП, 25, 830 (1991)
  18. I.D. Maat-Gersdorf, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan, P.C.M. Christianen, J.C. Maan. Mater. Res. Soc.: Rare earth doped semiconductors II, ed. by G. Pomrenke (St. Francisco, 1996) 422, p. 161
  19. В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. Тез. докл. Всес. конф. "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов" (Кишинев, 1986) с. 71
  20. С.В. Вонсовский. Магнетизм (М., Наука, 1971)
  21. Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов. ЖЭТФ, 81, 2160 (1981)
  22. C.P. Bean, J.D. Livingston. J. Appl. Phys. Suppl., 30, 120S (1959)
  23. В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков. ФТП, 21, 365 (1987)
  24. K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei. J. Cryst. Growth, 93, 583 (1988)
  25. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
  26. J. Wagner, H. Ennen, H.D. Muller. J. Appl. Phys., 59, 1202 (1986)
  27. K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei. Appl. Phys. Lett., 50, 977 (1987)
  28. К. Тейлор, М. Дарби. Физика редкоземельных соединений (М., Мир, 1974)
  29. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП, 17, 948 (1982)
  30. К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, В.В. Романов. И.А. Терлецкий, С.В. Штельмах. ФТП, 24, 1482 (1990)
  31. В.В. Романов, И.А. Терлецкий, К.Ф. Штельмах. ФТП, 24, 1584 (1990)
  32. Л.Ф. Захаренков, С.И. Марков, В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах. ФТП, 19, 1841 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme