Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм последовательного включения токовых шнуров в лавинном S-диоде

Российский научный фонд, Конкурс проектов малых отдельных научных групп, 23-29-00053

Прудаев И.А.

¹, Копьев В.В.

¹, Олейник В.Л.

¹, Земляков В.Е.

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

Email: funcelab@gmail.com, viktor.kopev@gmail.com, dozorx777@gmail.com, vzml@rambler.ru

Поступила в редакцию: 21 мая 2024 г.

В окончательной редакции: 13 августа 2024 г.

Принята к печати: 14 августа 2024 г.

Выставление онлайн: 12 ноября 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования последовательного включения токовых шнуров в лавинном S-диоде с глубокими центрами железа. Экспериментально показано, что на высокой частоте следования запускающих импульсов (100 кГц) токовые шнуры распределяются по площади электронно-дырочного перехода более однородно по сравнению с переключением на низкой частоте (100 Гц). При этом напряжение первого включения лавинного S-диода всегда выше второго. Для анализа результатов предложен численный эксперимент по формированию локально нагретой области с повышенной концентрацией неравновесных носителей. Моделирование динамики перераспределения носителей в условиях неоднородного нагрева S-диода позволило предложить новый механизм последовательного включения токовых шнуров. В данном механизме перезарядка глубоких центров в окрестности каждого предыдущего токового шнура задает условия для формирования каждого последующего канала включения. Ключевые слова: теплопроводность, арсенид галлия, глубокие центры, токовый шнур.

I.A. Prudaev, V.L. Oleinik, T.E. Smirnova, V.V. Kopyev, M.G. Verkholetov, E.V. Balzovsky, O.P. Tolbanov. IEEE Trans. Electron Dev., 65 (8), 3339 (2018). DOI: 10.1109/TED.2018.2845543
I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, M.G. Verkholetov, V.L. Oleinik, V.V. Kopyev. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 57 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3039213
I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, V.V. Kopyev, V.L. Oleynik, S.N. Marochkin. IEEE Electron Dev. Lett., 43 (1), 100 (2022). DOI: 10.1109/LED.2021.3130596
S. Vainshtein, I. Prudaev, G. Duan, T. Rahkonen. Solid State Commun., 365, 115111 (2023). DOI: 10.1016/j.ssc.2023.115111
S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. IEEE Trans. Electron Dev., 52 (12), 2760 (2005). DOI: 10.1109/TED.2005.859660
S. Vainshtein, J. Kostamovaara, V. Yuferev, W. Knap, A. Fatimy, N. Diakonova. Phys. Rev. Lett., 99 (17), 176601 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevLett.99.176601
S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara, M.M. Kulagina, H.T. Moilanen. IEEE Trans. Electron Dev., 57 (4), 733 (2010). DOI: 10.1109/TED.2010.2041281
G.M. Loubriel, F.J. Zutavern, H.P. Hjalmarson, R.R. Gallegos, W.D. Helgeson, M.W. O'Malley. Appl. Phys. Lett., 64 (24), 3323 (1994). DOI: 10.1063/1.111266
L. Hu, J. Su, Z. Ding, Q. Hao, X. Yuan. J. Appl. Phys., 115 (9), 094503 (2014). DOI: 10.1063/1.4866715
Y. Sun, L. Hu, Y. Li, L. Zhu, X. Dang, Q. Hao, X. Li. J. Phys. D: Appl. Phys., 55, 215103 (2022). DOI: 10.1088/1361-6463/ac54d4
V.I. Brylevskiy, I.A. Smirnova, A.V. Rozhkov, P.N. Brunkov, P.B. Rodin, I.V. Grekhov. IEEE Trans. Plasma Sci., 44 (10), 1941 (2016). DOI: 10.1109/TPS.2016.2561404
V. Brylevskiy, N. Podolska, I. Smirnova, P. Rodin, I. Grekhov. Phys. Status Solidi B, 256 (6), 1800520 (2019). DOI: 10.1002/pssb.201800520
M. Ivanov, A. Rozhkov, P. Rodin. Solid State Commun., 379, 115420 (2024). DOI: 10.1016/j.ssc.2023.115420
I. Prudaev, V. Kopyev, V. Oleinik. Phys. Status Solidi B, 260, 2200446 (2023). DOI: 10.1002/pssb.202200446
Version H-2013.03 (Synopsis Inc. Sentaurus Device User Guide, Mountain View, CA, 2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель