Вышедшие номера
Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, подвергнутых деформации
Соболев Н.А.1, Емельянов А.М.1, Шек Е.И.1, Феклисова О.В.2, Якимов Е.Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Исследована электролюминесценция в светодиодах, деформированных методом четырехточечного изгиба при 700oC, в диапазоне длин волн 1.0-1.65 мкм при токах до 400 мА. Светодиоды изготовлены имплантацией ионов B и P в пластины кремния p-типа проводимости, выращенного методами бестигельной зонной плавки (FZ-Si) и Чохральского (Cz-Si) с последующим отжигом при 700 и 1100oC. Интенсивность дислокационной электролюминесценции выше в светодиодах на основе FZ-Si. Низкотемпературный постимплантационный отжиг способствует увеличению интенсивности дислокационной электролюминесценции по сравнению с высокотемпературным. Трансформация спектров излучения в зависимости от тока в светодиодах на основе FZ-Si хорошо описывается 8 гауссовыми линиями. Положения максимумов этих линий не зависят от тока и равны 1.22, 1.244, 1.26, 1.316, 1.38, 1.42, 1.52 и 1.544 мкм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности и ширины линий от тока.