Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Десорбция водорода с поверхности в условиях эпитаксиального наращивания слоев кремния из моносилана в вакууме
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.
Впервые по экспериментальным данным, описывающим степень покрытия поверхности кремниевой пластины водородом непосредственно в процессе выращивания эпитаксиального слоя кремния из силана в вакууме, определен коэффициент десорбции водорода и энергия активации этого процесса. Проведено сопоставление данных величин с результатами других авторов, полученных в условиях низкотемпературного эксперимента, например, методом термодесорбционной спектрометрии. Найденные величины использованы для вычисления коэффициента кристаллизации и его зависимости от температуры роста и скорости распада моносилана на ростовой поверхности.
- V.I. Talanin, I.E. Talanin, D.I. Levinson. Proc. 4th Int. Conf. Single crystal growth and heat \& mass transfer (Obninsk, Russia, 2001) v. 1, p. 205
- G. Weirauch, A. Campargue, H. Burger, J. Mol. Spectrosc., 218 (2), 256 (2003)
- M.C. McCarthy, P. Thaddeus. J. Mol. Spectrosc., 222 (2), 248 (2003)
- M. Shinohara, T. Kuwano, Y. Kimura, M. Niwano. Thin Solid Films, 435, 13 (2003)
- C.M. Greenlief, M. Lier. Appl. Phys. Lett., 64, 601 (1994)
- K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461 (1993)
- R.W. Price, E.S. Tok, J. Zhang. J. Cryst. Growth, 209, 306 (2000)
- M.C. Flowers, N.B.H. Jonathan, Y. Liu, A. Morris. J. Chem. Phys., 102, 1034 (1995)
- D.W. Greve. Mater. Sci. Eng. B, 18, 22 (1993)
- A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Solid Films, 336, 191 (1999)
- Л.К. Орлов, С.В. Ивин, А.В. Потапов, Т.Л. Ивина. ЖТФ, 71 (4), 53 (2001)
- S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
- E.V. Thomsen, C. Christensen. Thin Solid Films, 294, 72 (1997)
- K. Sakamoto, H. Matsuhata, K. Miki, T. Sakamoto. J. Cryst. Growth, 157, 295 (1995)
- S.M. Gates, S.K. Kilkarni. Appl. Phys. Lett., 60, 53 (1992)
- U. Hofer, L. Li, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 45, 9485 (1992)
- K. Sinniah, M.G. Sherman, L.B. Lewis, W.H. Weinberg, J.T. Yates, jr., K.C. Janda. Phys. Rev. Lett., 62, 567 (1989); J. Chem. Phys., 92, 5700 (1990)
- T.R. Bramblett, Q. Lu, T. Karasawa, M.A. Hasan, S.K. Jo, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 76, 1884 (1994)
- A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
