Вышедшие номера
Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока
Сизов Д.С.1, Сизов В.С.1, Лундин В.В.1, Цацульников А.Ф.1, Заварин Е.Е.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

С помощью спектроскопии фототока исследованы структуры с квантовыми точками InGaN/GaN. Динамический диапазон измерений составлял четыре порядка с сохранением отношения величины сигнала к уровню шума больше 10. В пределах погрешности измерений форма спектра не зависела от приложенного обратного внешнего смещения, в то время как спектр смещался в коротковолновую сторону, что объясняется влиянием эффекта Франца-Келдыша. Изменение температуры приводило к изменению формы спектра, причем этот эффект различен для структур, выращенных в различных режимах. Такое поведение может объясняться влиянием однородного уширения электронных состояний, статистикой носителей на уровнях квантовых точек, а также влиянием температуры на положение этих уровней.