Якобсон М.А.1, Нельсон Д.К.1, Константинов О.В.1, Матвеенцев А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.
Экспериментально установлено, что при возрастании плотности мощности возбуждающего излучения азотного лазера от 10 до 1000 кВт/см2 происходит сдвиг максимума спектра люминесценции GaN на ~ 150 мэВ. Мы связываем большой синий сдвиг с проявлением хвоста плотности локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы. Показано, что в модели идеальной квантовой ямы, в которой отсутствует хвост плотности локализованных состояний в запрещенной зоне, нельзя объяснить большой синий сдвиг. Предложено феноменологическое выражение для плотности состояний, содержащее подгоночный параметр - энергию Урбаха, описывающее хвосты плотности локализованных состояний. Таким образом можно описать как длинноволновый край спектра люминесценции, так и большой синий сдвиг. При различной накачке изменяется квазиуровень Ферми фотоэлектронов, который подбирается для каждой экспериментальной кривой. Достигнуто качественное согласие теоретических и экспериментальных спектров рекомбинационного излучения, свидетельствующее об адекватности предположений модели. Из условия квазинейтральности находится поверхностная концентрация носителей, которая на несколько порядков превосходит пироэлектрическую концентрацию в узких квантовых ямах.
- N.A. Shapiro, P. Perlin, C. Kisieloowski, L.S. Mattos, J.W. Yang, E.R. Weber. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 5, 1 (2000)
- M.A. Jacobson, D.K. Nelson, N. Grandjean, J. Massies, P. Bigenwald, A. Kavokin. Phys. Status Silidi C, 0 (1), 487 (2002)
- K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, N. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukito, H. Seki. Jap. J. Appl. Phys., 40, L140 (2001)
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
- А.С. Давыдов. Квантовая механика (М., Наука, 1973)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процесссы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
- R.J. Radtke, U. Waghmare, H. Ehrenreich, G.H. Grein. Appl. Phys. Lett., 73 (15), 2087 (1998)
- O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 3399 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.