Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние обработки кремния в атомарном водороде на образование локальных областей плавления при импульсном световом облучении
1Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
Исследовано влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым нагревом образцов Si и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов, привносимых обработкой в атомарном водороде. Установлено, что режим обработки в атомарном водороде с экспозиционной дозой менее 2.7·1017 см-2 не приводит к изменению количества дефектов в Si, и наоборот, режим с экспозиционной дозой более 3.6·1018 см-2 существенно увеличивает концентрацию дефектов. Возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностью Si. PACS: 68.35.Bs, 82.30.Wt
- K. Sasaki, H. Tomoda, T. Takada. Vacuum, 51 (4), 537 (1998)
- S.M. Myers, M.I. Baskes, H.K. Birnbaum, J.W. Corbett, G.G. De Leo, S.K. Estreicher, E.E. Haller, P. Jena, N.M. Johnson, R. Kirchheim, S.J. Pearton, M. Stavola. Rev. Mod. Phys., 64 (2), 559 (1992)
- И.А. Айзенберг, И.Р. Москвина, С.В. Носенко, В.Ж. Розенфланц, А.М. Трояновский, В.С. Эдельман. Поверхность. Физика, химия, механика, N 11, 96 (1990)
- J.S. Montgomery, T.P. Schneider, R.J. Carter, J.P. Barnak. Appl. Phys. Lett., 67 (15), 2194 (1995)
- P. Asoka-Kumar, H.J. Stein, K.G. Lynn. Appl. Phys. Lett., 64 (13), 1684 (1994)
- S.J. Jeng, G.S. Oehrlein, G.J. Scilla. Appl. Phys. Lett., 53 (18), 1735 (1988)
- Ki-Hyun Hwang, Euijoon Yoon, Ki-Wong Whang, Jeong Yong Lee. Appl. Phys. Lett., 67 (24), 3590 (1995)
- В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 32 (11), 1343 (1998)
- В.А. Кагадей, Е.Ф. Нефедцев, Д.И. Проскуровский, С.В. Романенко, Л.С. Широкова. Письма ЖТФ, 29 (1), 27 (2003)
- В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Д.И. Проскуровский, Л.С. Широкова. Письма ЖТФ, 26 (7), 1 (2000)
- R.A. Ditizio, G. Liu, S.J. Fonash, B.-C. Hseih, D.W. Greve. Appl. Phys. Lett., 56 (12), 1140 (1990)
- T. Hsu, B. Anthony, R. Qian, J. Irby, S. Banerjee, A. Tasch, S. Lin, H. Marcus, C. Magee. J. Electron. Mater., 20 (3), 279 (1991)
- С.И. Верходанов, Н.Н. Герасименко, А.М. Мясников. Поверхность. Физика, химия, механика, N 5, 69, (1998)
- В.И. Емельянов, П.К. Кашкаров, Н.Г. Чеченин, Т. Дитрих. ФТТ, 30 (8), 2259 (1998)
- Я.В. Фаттахов, Р.М. Баязитов, М.Ф. Галяутдинов, И.Б. Хайбуллин, Т.Н. Львова, Е.А. Еремин. Изв. АН. Сер. физ., 59 (12), 136 (1995)
- V.A. Kagadei, D.I. Proshurovsky. Vac. Sci. Technol. A, 16 (4), 2556 (1998)
- Я.В. Фаттахов, И.Б. Хайбуллин, Р.М. Баязитов, Е.М. Мисюрев, Р. Гретчел. Поверхность. Физика, химия, механика, N 11, 61 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
