Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках

Поклонский Н.А.¹, Вырко С.А.¹, Забродский А.Г.¹

¹Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Поступила в редакцию: 19 июля 2005 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

PDF версия

Предложена модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда (A⁰- и A⁺-зонами для акцепторов и D⁰- и D^--зонами для доноров) с ростом концентрации легирующей водородоподобной примеси при низкой концентрации компенсирующей примеси. Ширина примесных зон предполагается малой по сравнению со щелью между ними. Учтено, что локальное кулоновское взаимодействие ионов электрического диполя, образовавшегося в результате перехода дырки (электрона) между двумя электрически нейтральными примесными атомами, уменьшает величину щели. Рассчитанные значения термической энергии активации прыжкового перехода дырок (электронов) между примесными зонами согласуются с экспериментальными данными для слабо компенсированных кристаллов p-Si : B, p-Ge : Ga и n-Ge : Sb. PACS: 71.27.+a, 71.20.Fi, 71.30.+h, 71.55.Cn, 72.20.Fr

Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Р.И. Рабинович, Н.А. Серебрякова. УФН, 132 (2), 353 (1980)
H. Nishimura. Phys. Rev., 138 (3A), A815 (1965)
Л.П. Гинзбург. ФТП, 11 (2), 338 (1977); ФТП, 12 (3), 564 (1978); ФТП, 23 (9), 1629 (1989)
Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП, 33 (4), 415 (1999)
Е.М. Гершензон, Ф.М. Исмагилова, Л.Б. Литвак-Горская. ФТП, 28 (4), 671 (1994)
N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Status Solidi B, 88 (2), K165 (1978)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
С.Л. Арутюнян. ФТТ, 47 (4), 581 (2005)
A.G. Zabrodskii. Phil. Mag. B, 81 (9), 1131 (2001)
К.Я. Штивельман. ФТП, 8 (4), 817 (1974)
Б.А. Волков, В.В. Матвеев. ФТТ, 8 (3), 717 (1966)
A. Chatterjea, J.R. Hauser. J. Phys. Chem. Sol., 37 (11), 1031 (1976)
D.K. Pickard. J. Applied Probability, 19 (2), 444 (1982)
Н.Л. Лаврик, В.П. Волошин. ЖФХ, 73 (4), 710 (1999)
F. Williams. Phys. Status Solidi, 25 (2), 493 (1968)
J. Mycielski. Phys. Rev., 123 (1), 99 (1961)
J. Monecke. Phys. Status Solidi B, 103 (2), K115 (1981)
И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15 (4), 625 (1981)
Г. Бете, Э. Солпитер. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами (М., ГИФМЛ, 1961)
Т.М. Лифшиц. ПТЭ, N 1, 10 (1993)
J. Monecke, W. Siegel, E. Ziegler, G. Kuhnel. Phys. Status Solidi B, 103 (1), 269 (1981)
В.Д. Каган. ФТТ, 42 (5), 805 (2000)
J. Bethin, T.G. Castner, N.K. Lee. Sol. St. Commun., 14 (12), 1321 (1974)
T.G. Castner, N.K. Lee, H.S. Tan, L. Moberly, O. Symko. J. Low Temp. Phys., 38 (3--4), 447 (1980)
D.E. Phelps, K.K. Bajaj. Phys. Rev. B, 26 (2), 912 (1982)
B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic properties of doped semiconductors (Berlin, Springer, 1984)
А.П. Мельников, Ю.А. Гурвич, Л.Н. Шестаков, Е.М. Гершензон. Письма ЖЭТФ, 71 (1), 28 (2000)
N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh. Phys. Status Solidi B, 117 (1), 93 (1983)
Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский. ФТТ, 42 (3), 432 (2000)
Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин. ФТТ, 43 (12), 2126 (2001)
Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин. ФТТ, 40 (10), 1805 (1998)
Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. ФТП, 33 (4), 402 (1999)
Е.М. Гершензон, Ю.А. Гурвич, А.П. Мельников, Л.Н. Шестаков. ФТП, 25 (1), 160 (1991)
J.A. Chroboczek, F.H. Pollak, H.F. Staunton. Phil. Mag. B, 50 (1), 113 (1984)
Ф.М. Исмагилова, Л.Б. Литвак-Горская, Г.Я. Луговая, И.Е. Трофимов. ФТП, 25 (2), 255 (1991)
S. Abboudy. Physica B, 212 (2), 175 (1995)
H. Fritzsche. Phys. Rev., 99 (2), 406 (1955)
Е.М. Гершензон, Ф.М. Исмагилова, Л.Б. Литвак-Горская, А.П. Мельников. ЖЭТФ, 100 (3(9) ), 1029 (1991)
Е.М. Гершензон, Л.Б. Литвак-Горская, Г.Я. Луговая. ФТП, 15 (7), 1284 (1981)
Е.М. Гершензон, Л.Б. Литвак-Горская, Г.Я. Луговая, Е.З. Шапиро. ФТП, 20 (1), 99 (1986)
H. Fritzsche. Phys. Rev., 125 (5), 1552 (1962)
E.A. Davis, W.D. Compton. Phys. Rev., 140 (6A), A2183 (1965)
M. Kobayashi, Y. Sakaida, M. Taniguchi, Sh. Narita. J. Phys. Soc. Japan, 47 (1), 138 (1979)
Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТТ, 46 (6), 1071 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель