Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 4 » Статья стр. 449
<<<>>>
Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением с введением углерода
Каганович Э.Б.1, Лисовский И.П.1, Манойлов Э.Г.1, Злобин С.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
PDF версия
Исследуется влияние углерода на фотолюминесцентные свойства пленок состава: Si квантово-размерные нанокристаллы / SiOx (x->2) матрица. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ и спектры инфракрасного поглощения в диапазоне волновых чисел 650-1500 см-1. Установлено, что введение углерода в присутствии кислорода при импульсном лазерном осаждении пленок приводит к бело-голубому спектру, увеличению интенсивности и стабильности фотолюминесценции. Влияние углерода на фотолюминесцентные свойства связывается с формированием SiO2-барьерной фазы взамен SiOx (1<x<2), насыщением оборванных связей кремния на поверхности Si нанокристаллов более крупных размеров и механическим укреплением Si нанокристаллов более мелких размеров. PACS: 78.66.Db, 61.72.Tt
  1. К.Н. Ельцов, В.А. Караванский, В.В. Мартынов. Письма ЖЭТФ, 63 (2), 106 (1996)
  2. А.М. Орлов, А.А. Скворцов, А.В. Синдяев. Поверхность, 7, 93 (2001)
  3. R. Boukherroub, D.Х.M. Wayner, D.J. Lockwood, L.T. Canham. J. Electrochem. Soc., 148 (9), 1191 (2001)
  4. H. Li, D. Xu, G. Guo, L. Gui, Y. Tang, X. Ai, Zh. Sun, X. Zhang, G.G. Qin. J. Appl. Phys., 88 (7), 4446 (2000)
  5. О.М. Сресели, Д.Н. Горячев, В.Ю. Осипов, Л.В. Беляков, С.П. Вуль, И.Т. Серенков, В.Н. Сахаров, А.Я. Вуль. ФТП, 36 (5), 604 (2002)
  6. Б.М. Костишко, Ш.Р. Атажанов, С.Н. Миков. Письма ЖТФ, 24 (16), 24 (1998)
  7. W. Liu, M. Zhang, C. Lin, Zh. Zeng, L. Wang, P.R. Chu. Appl. Phys. Lett., 78 (1), 37 (2001)
  8. S.-Y. Seo, K.-S. Cho, J.H. Shin. Appl. Phys. Lett., 84 (5), 717 (2004)
  9. P. Pellegrino, A. Perez-Rodriguez, B. Garrido, O. Gonzalez-Varona, J. Morante, S. Marcinkeviv cius, A. Galeckas, J. Linnros. Appl. Phys. Lett., 84 (1), 25 (2004)
  10. М.Я. Валах, В.О. Юхимчук, В.Я. Братусь, Е-5pt0.8pt--1pt0.8pt-.Г. Гуле-3pt-. Укр. физ. журн., 46 (10), 1065 (2001)
  11. M.L. Terranova, V. Sessa, S. Botti, M. Rossi, F.V. Motsnyi, A.A. Konchits, P.M. Lytvyn, V.O. Yukhymchuk. Chem. Vap. Deposition, 9 (3), 139 (2003)
  12. D.J. Lockwood, H.J. Labbe, R. Siegele, H.K. Haugen. J. Appl. Phys., 78 (10), 6185 (1995)
  13. B. Gelloz, H. Sano, R. Boukherroub, D.X.M. Wayner, D.L. Lockwood, N. Roshida. J. Appl. Phys., 83 (12), 2342 (2003)
  14. H. Li, J. Peng, S. Qu, X. Xu, H. Xia, X. Luo. Proc. conf. Nanophotonics (Russia, N. Novgorod, 2003)
  15. N. Shepherd, R.E. Hammel. Proc. conf. Nanophotonics (Russia, N. Novgorod, 2003)
  16. E.B. Kaganovich, A.A. Kudryavtsev, E.G. Manoilov, S.V. Svechnikov, I.Z. Indutnyi. Thin Sol. Films, 349, 298 (1999)
  17. I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinskii, G.I. Steblovskii. Thin Sol. Films, 213 164 (1992)
  18. I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinskii, H. Flietner, W. Fussel, E.G. Schmidt. J. Non-Cryst. Sol., 87, 91 (1995)
  19. И.П. Лисовский, И.З. Индутный, Б.Н. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, А.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. ФТП, 37 (1), 98 (2003)
  20. Е.Б. Каганович, Е.Г. Манойлов, С.В. Свечников. Укр. физ. журн. 46 (11), 1196 (2001)
  21. А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 35 (12), 1383 (2001)
  22. Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кирилова, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников, Е.Ф. Венгер. ФТП, 35 (9), 1105 (2002)
  23. M. Nakamura, Y. Mochizuk, K. Usami, Y. Iton, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50 (12), 1079 (1984)
  24. Л. Литтл. ИК спектры адсорбированных молекул (М., Наука, 1972)
  25. A. Lehman, L. Schuman, K. Hubner. Phys. Status. Solidi B, 117 (2), 689 (1983)
  26. П.А. Александров. Е.К. Баранова, А.Е. Городецкий, К.Д. Демаков, О.Г. Кутукова, С.Г. Шемардов. ФТП, 22 (4), 731 (1988)
  27. G. Perez, J.M. Sanz. Thin Sol. Films, 416, 24 (2002)
  28. I.W. Boyd. Appl. Phys. Lett., 51 (6), 418 (1987)
  29. А.М. Орлов, А.А. Скворцов, А.Г. Клементьев, А.В. Синдяев. Письма ЖТФ, 27 (2), 76 (2001)
  30. Л.И. Бережинский, Н.В. Сопинский, В.С. Хомченко. ЖПС, 68, 103 (2001)
  31. Q. Sun, K.H. Yao, J. Lagowski, H.C. Gatos. J. Appl. Phys., 67 (9), 4313 (1990)
  32. Б.Н. Романюк, Н.И. Клюй, Д. Крюгер, В.П. Мельник, Д.М. Москаль, В.Г. Попов. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 31, 159 (1996)
  33. V.V. Artamonov, M.Ya Valakh, N.I. Klyui, V.F. Melnik, A.B. Romanyuk, B.N. Romanyuk, V.A. Yuhimchuk. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 147, 256 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme