Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Трансформация при отжиге электрически активных дефектов в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий

Антонова И.В.¹, Шаймеев С.С.¹, Смагулова С.А.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Якутский государственный университет, Якутск, Россия

Поступила в редакцию: 19 сентября 2005 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом DLTS исследованы распределения по глубине дефектов, возникающих в кремнии при имплантации ионов бора с энергией 14 MэВ, и их трансформация при отжиге в интервале температур 200-800^oC. Установлено, что в результате имплантации формируется стандартный набор радиационных дефектов вакансионного типа (комплексы кислород-вакансия, фосфор-вакансия, дивакансии) и центр с уровнем E_c-0.57 эВ. Термообработки при температуре 200-300^oC приводят к удалению всех вакансионных комплексов на расстоянии от поверхности h>12-9 мкм. Это происходит, скорее всего, за счет распада межузельных комплексов, локализованных на глубине h>12-9 мкм, и аннигиляции их с вакансионными дефектами. Отжиги при более высоких температурах вызывают дальнейшее сужение слоя, в котором выживают вакансионные дефекты, до h~ 6 мкм при 500^oC, и смену наблюдаемых электрически активных центров в интервале температур 400-500^oC. Специфика отжига радиационных дефектов после высокоэнергетической ионной имплантации обусловлена пространственным разделением вакансионных и межузельных дефектов. PACS: 61.72.Tt, 61.72.Cc

V. Privitera, S. Coffa, F. Рriolo, K.K. Larsen, S. Libertino, A. Carnera. Nucl. Instrum. Meth. B, 120, 9 (1996)
A. Agarwal, K. Christinsen, D. Venables, D.M. Maher, G.A. Rozgonyi. Appl. Phys. Lett., 69, 3899 (1996)
R.A. Brown, O. Kononchuk, G.A. Rozgonyi, S. Koveshnikov, A.P. Knights, P.J. Simpson. J. Appl. Phys., 84, 2459 (1998)
R. Koglar, R. Yankov, J.R. Kaschny, M. Posselt, A.B. Danilin, W. Skorupa. Nucl. Instrum. Meth. B, 142, 493 (1998)
A. Kvit, R.A. Yankov, G. Duscher, G. Rozgonyi, J.M. Glasko. Appl. Phys. Lett., 83, 1367 (2003)
V.C. Venezia, L. Pelaz, H.-J.L. Grossmann, T.E. Haynes, C.S. Rafferty. Appl. Phys. Lett., 79, 1273 (2001)
P.I. Gaiduk, A.N. Larsen, J.L. Harsen, C. Trautmann. Appl. Phys. Lett., 83, 1746 (2003)
С.А. Смагулова, И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.А. Скуратов. ФТП, 37, 565 (2003)
I.V. Antonova, E.P. Neustroev, A. Misiuk, V.A. Skuratov. Sol. St. Phenomena, 82--84, 243 (2002)
P. Hazdra, J. Rubes, J. Vobecky. Nucl. Instrum. Meth. B, 159, 207 (1999)
Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1980)
И.В. Антонова, А.В. Васильев, В.М. Панов, С.С. Шаймеев. ФТП, 23, 998 (1989)
T.H. Lee, N.N. Gerasimenko, J.J. Corbett. Phys. Rev. B, 14, 4506 (1976)
А.В. Васильев, М.А. Копшик, С.А. Смагулова, М.А. Цвайгерт, С.С. Шаймеев. ФТП, 17, 1155 (1983)
J.L. Benton, L.O. Kimerlin, M. Stavola. Physica B, 116, 271 (1983)
В.П. Маркович, Л.М. Мурин. ФТП, 25, 1737 (1991)
I.V. Antonova, V.P. Popov, A.E. Plotnikov, A. Misiuk. J. Electrochem. Soc., 146, 1575 (1999)
S. Fatima, J. Wong-Leung, J. Fitz Gerald, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 74, 1141 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель