Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния gamma-излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
Бобыль А.В.1, Гуткин А.А.1, Брунков П.Н.1, Заморянская И.А.1, Яговкина М.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Саксеев Д.А.1, Конников С.Г.1, Малеев Н.А.1, Устинов В.М.1, Копьёв П.С.1, Пунин В.Т.2, Илькаев Р.И.2, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ, Саров, Россия
2Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ, Саров, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Исследовано влияние gamma-излучения на структурные изменения в транзисторных многослойных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. С помощью рентгенодифракционных измерений и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при gamma-облучении с дозой выше ~3· 107 рад начинает происходить разрушение слоя GaAs, находящегося на поверхноcти таких структур. При дозе облучения 108 рад планарность поверхности значительно ухудшается и ее шероховатость достигает нескольких нанометров. Кроме того, в приповерхностном слое структуры под воздействием gamma-облучения наблюдается образование дислокаций. Причина такого поведения поверхностного слоя может быть связана с существованием слоя окисла на его свободной поверхности и с возможными, индуцируемыми gamma-облучением, химическими реакциями между атомами слоя и свободными радикалами, образующимися в окисле и в окружающей атмосфере. Заметных изменений структуры и состава тонкого слоя канала InGaAs при дозах до 108 рад не происходит. PACS: 61.80.Cb, 68.35.Ct, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 81.40.Wx
- A. Simono, I. Debusschere, A. Alaerts, C. Claeys. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 1964 (1992)
- А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, В.К. Кононов, В.Г. Малинин, М.М. Малышев, И.В. Прокопенко, М.И. Слуцкий, Ю.А. Тхорик. Электрон. техн. Сер. Управление качеством, N 4(151)--5(152), 31 (1992)
- R.L. Pease. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 539 (2003)
- Todd R. Weatherford. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 704 (2003)
- M.J. O'Laughlin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 35, 1808 (1987)
- A.A. Belyaev, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, S.A. Vitusevich, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, L.N. Kravchenko, T. Figelski, T. Wosinski, A. Makosa. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 2, 98 (1999)
- B.D. White, M. Bataiev, S.H. Goss, X. Hu, A. Karmarker, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, W.J. Schaff, L.J. Brillson. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 1934 (2003)
- О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, И.Б. Ермолович, Р.В. Конакова, В.В. Миленин. ЖТФ, 74, 44 (2004)
- Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
- А.В. Бобыль, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, А.М. Минтаиров, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 16, 90 (1990).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
