Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs
Захаров Д.Н.1, Калыгина В.М.1, Нетудыхатко А.В.2, Панин А.В.3
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 10 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Исследованы электрические свойства диодов Шоттки Au/Ti-n-GaAs в зависимости от технологии получения. Прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов в слабых электрических полях анализируются на основе механизма термоэлектронной эмиссии через барьер металл-полупроводник. Предполагается, что рост обратных токов в интервале 20-60 B можно объяснить эффектом Пула-Френкеля. При напряжениях выше 60 B избыточные обратные токи обусловлены туннелированием, облегченным фононами, через глубокие состояния в области обеднения полупроводника. PACS: 73.30+y, 85.30.De, 85.30.Hi
- В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, НЛТ, 2000) гл. 1
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 109
- R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, L. Gegznaite. Sol. St. Commun., 55 (1), 25 (1985)
- В. Карпус, В.И. Перель. ЖЭТФ, 91, 6 (12), 2319 (1986)
- П.А. Пипинис, А.К. Римейка, В.А. Лапейка, А.В. Пипинене. ФТП, 32, 882 (1998)
- С.Д. Ганичев, И.Н. Яссивич, В. Преттл. ФТТ, 39 (11), 1905 (1997)
- С.В. Булярский, А.В. Жуков. ФТП, 35 (5), 560 (2001)
- А.В. Панин, А.Р. Шугуров, В.М. Калыгина. ФТП, 36 (1), 78 (2001)
- Т.В. Львова, В.Л. Берковиц, М.С. Дунаевский. ФТП, 37 (8), 955 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
