Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiOx, содержащих нанокристаллы кремния
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Racah Institute of Physics, Hebrew University, Satra, Givant Ram, Jerusalem, Israel
2Racah Institute of Physics, Hebrew University, Satra, Givant Ram, Jerusalem, Israel
Поступила в редакцию: 13 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
Проведено сравнение фотолюминесценции и электрических свойств слоя окисла кремния, содержащего нанокристаллы кремния. Окисел, содержащий нанокристаллы кремния, был создан сораспылением диоксида кремния и кремния с последующим отжигом для формирования нанокристаллов. Концентрация избыточного кремния в слое варьировалась вдоль образца в пределах от 6 до 74% по объему. Обнаружено, что величина заряда, определенная по напряжению плоских зон, имеет резко выраженный максимум при содержании избыточного кремния ~26%, при этом максимальный заряд коррелирует с максимальной интенсивностью фотолюминесценции. Дальнейшее повышение содержания избыточного кремния в окисле приводит к уменьшению заряда в окисле, уменьшению интенсивности фотолюминесценции и возникновению перколяционной проводимости. PACS: 81.15.Cd, 78.67.Bf, 61.46.Bc, 73.63.Bd
- L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1169 (2003)
- A.T. Fiory, N.M. Ravindra. J. Electron. Mater., 32, 1043 (2003)
- T.N. Theis. IBM J. Res. Dev., 44, 379 (2000)
- S.K. Moore. Spectrum IEEE, 39, 25 (2002)
- T.S. Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
- T. Roschac, J. Wojdcik, D. Comedi, M.J. Flynn, E.A. Irving, O.H.Y. Zalloum, P. Mascher. PV 2005 Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films and Other Emerging Dielectrics VIII, ed. by R.E. Sah, M.J. Deen, J. Zhang, J. Yota and Y. Kamakura (2005) p. 136
- L. Khomenkova, N. Korsunska, V. Yukhimchuk, B. Jumayev, T. Torchynska, A.V. Hemandez, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir, J. Jedzejewski. J. Luminesc., 102--103, 705 (2003)
- М.Д. Ефремов, В.В. Болотов, В.А. Володин, С.А. Кочубей, А.В. Кретинин. ФТП, 36, 109 (2002)
- Х. Фрицше. Аморфный кремний и родственные материалы (М., Мир, 1991)
- V. Pailard, P. Puech. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999)
- M.D. Efremov, V.A. Volodin, V.V. Bolotov. Sol. St. Phenomena, 82, 681 (2002)
- H. Assaf, E. Ntsoenzok, M.O. Ruault, O. Kaitasov. Sol. St. Phenomena, 108--109, 291 (2005)
- L. Wu, M. Dai, X. Huang, W. Li, K. Chen. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 678 (2004)
- A.L. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Thin Sol. Films, 336, 332 (1998)
- K. Kreher. Phys. Status Solidi A, 135, 597 (1993)
- В.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
