Для полупроводниковых твердых растворов Al_xGa_1-xAs с x=0.15 и 0.21 при температурах T=1.7-380 K измерялись спектр края поглощения и температурная зависимость интегрального коэффициента поглощения света. Результаты обсуждаются на основе двух моделей экситон-поляритонного переноса энергии возбуждения, которые в системах со случайным экситонным потенциалом могут привести к непостоянству интегрального поглощения при низких температурах. В одном случае температурная аномалия в поглощении рассматривается как результат конкуренции экситонного и электромагнитного переноса в квазиоднородной среде (виртуальном кристалле) с пространственной дисперсией. В другом случае эффект связан с переизлучением резонансных локализованных экситонов вдоль конечных цепочек квантовых ям в отсутствие экситонного переноса. На основании наблюдений характерной температурной зависимости интегрального поглощения сделан вывод о существовании экситонных поляритонов в исследованных твердых растворах. Для твердого раствора Al_0.15Ga_0.85As найдена критическая температура T_c=155 K, выше которой интегральное поглощение насыщается. Показано, что для твердых растворов при T=1.7-60 K домнирующим является неоднородное уширение экситонной линии флуктуирующим потенциалом, которое существенно превышает однородное уширение, обусловленное взаимодействием экситонов с фононами и заряженными примесями. PACS: 71.35.-y, 71.35.Cc, 71.36.+c, 71.55.Eq

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.