[!t] 12 ноября исполняется 90 лет со дня рождения выдающегося российского ученого Нины Александровны Горюновой, основоположника химии сложных алмазоподобных полупроводников и основателя Лаборатории физико-химических свойств полупроводников Физико-технического института им. А. И. Иоффе Российской академии наук, лауреата премии им. Н. С. Курнакова АН СССР, кавалера ордена Ленина. Она родилась в Москве в 1916 году, окончила Ленинградский государственный университет, а с 1946 г. навсегда связала свою жизнь в науке с Физтехом. Начало ее работы в этом институте пришлось на время, когда исследовались только элементарные полупроводники и, как следствие, возникла острейшая необходимость в расширении круга полупроводниковых веществ с требуемыми для практических применений свойствами. На основании экспериментальных исследований низкотемпературного превращения олова она выдвинула предположение о том, что бинарные соединения InSb и CdTe, имеющие структуру цинковой обманки, должны обладать полупроводниковыми свойствами. Этот прорывный и смелый вывод Н. А. Горюновой нашел свое первое экспериментальное подтверждение в сотрудничестве с профессором А. Р. Регелем. В 1963 г. Н. А. Горюновой основана Лаборатория физико-химических свойств полупроводников, в которой были выращены первые кристаллы арсенида галлия и других соединений A^IIIB^V. Знаменательно, что соединения A^IIIB^V "родились" как полупроводники именно в лаборатории Н. А. Горюновой и оттуда распространились в лаборатории Физтеха, а затем в другие научные центры страны и мира. Под ее руководством был развит ряд новых методов кристаллизации полупроводников A^IIIB^V, впервые получены их твердые растворы и продемонстрированы новые возможности управления фундаментальными свойствами в семействе новых многокомпонентных алмазоподобных полупроводников. В этих пионерских работах Н. А. Горюновой и ее учеников фактически сформировались научные основы материаловедения, которые привели к созданию новых материалов, обеспечивающих развитие полупроводниковой электроники нового поколения. С именем Н. А. Горюновой связана также разработка правил образования семейства новых позиционно-упорядоченных многокомпонентных алмазоподобных фаз. Фантастическая творческая активность и дар увлечь своими идеями других позволили Нине Александровне проводить интенсивные исследования в новом направлении материаловедения, которое вскрывает все новые возможности получения полупроводников с рекордными нелинейной восприимчивостью и квантовой эффективностью фотопреобразования, предельной степенью линейной поляризации фотолюминесценции, поляризационной фоточувствительностью, экстраординарной радиационной стойкостью и т. п. Для Н. А. Горюновой было характерным сочетание фундаментальных исследований с подготовкой высококвалифицированных научных кадров, для чего в 1961 г. она организовала при Ленинградском политехническом институте им. М. И. Калинина (в настоящее время это Санкт-Петербургский государственный политехнический университет) кафедру полупроводникового материаловедения. Научные контакты Н. А. Горюновой были чрезвычайно широкими. В итоге ей реально удалось заинтересовать весь полупроводниковый мир своими захватывающими научными идеями. В ряду главных научных достижений профессора Н. А. Горюновой следует особо выделить ее оригинальную идею создания периодической системы химических соединений с требуемыми свойствами. Сегодня, спустя 35 лет после безвременной кончины Нины Александровны, мы, ее ученики, с благодарностью чтим память своего Учителя. Она была и навсегда останется для нас образцом беззаветного служения науке. Обозревая сделанное Н. А. Горюновой, следует выделить главное - это основание всемирно признанной научной школы физико-химических исследований многокомпонентных алмазоподобных полупроводников, школы, которую продолжают ее ученики. Редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>> и ученики

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.