Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2007, выпуск 5 » Статья стр. 584
<<<>>>
Белая электролюминесценция структуры ZnO/GaN
Титков И.Е.1, Зубрилов А.С.1, Делимова Л.А.1, Машовец Д.В.1, Линийчук И.А.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.
PDF версия
Обнаружена белая электролюминесценция структур ZnO/GaN, полученных методом лазерного напыления ZnO : In на структуры GaN : Mg/GaN, выращенные методом MOCVD на подложке Al2O3. Белый свет получался в результате сложения двух наиболее интенсивных спектральных линий, узкой синей и широкой желтой (длины волн в максимумах 440 и 550 нм соответственно). Соотношение интенсивностей разных спектральных линий электролюминесценции гетероструктур ZnO/GaN/Al2O3 зависело от качества пленки ZnO и тока накачки. Белая электролюминесценция обусловлена высокой плотностью структурных дефектов на интерфейсе n-ZnO/p-GaN. Построена энергетическая диаграмма гетероструктуры n-ZnO/p-GaN/n-GaN и предложено качественное объяснение наблюдаемой электролюминесценции. PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 73.40.Kp, 73.40.Lq, 78.60.-b, 78.60.Fi
  1. Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
  2. Ю. Давиденко. Соврем. электроника, 10, 36 (2004)
  3. А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП 32 (1), 63 (1998)
  4. А.Г. Дрижук, М.В. Зайцев, В.Г. Сидоров, Д.В. Сидоров. Письма ЖТФ, 22 (11), 23 (1996)
  5. Y.Y. Yan, S.B. Zhang, S.T. Pantelides. Phys. Rev. Lett., 86, 5723 (2001)
  6. Y.R. Ryu, S. Zhu, D.C. Look, J.M. Wrobel, H.M. Jeong, H.W. White. J. Cryst. Growth, 216, 330 (2000)
  7. M. Joseph, H. Tabata, H. Saeki, K. Ueda, T. Kawai. Physica B, 302--303, 140 (2001)
  8. T. Aoki, Y. Hatanaka, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 76, 3257 (2000)
  9. X.-L. Guo, J.-H. Choi, H. Tabata, T. Kawai. Jpn. J. Appl. Phys., 40, L177 (2001)
  10. Q.-X. Yu, B. Xu, Q.-H. Wu, Y. Liao, G.-Zh. Wang, R.-Ch. Fang, H.-Y. Lee, Ch.-T. Lee. Appl. Phys. Lett., 83 (23), 4713 (2003)
  11. Ya.I. Alivov, E.V. Kalinina, A.E. Cherenkov, D.C. Look, B.M. Ataev, A.K. Omaev, M.V. Chukichev, D.M. Bagnall. Appl. Phys. Lett., 83 (23), 4719 (2003)
  12. B.M. Ataev, Ya.I. Alivov, E.V. Kalinina. 2nd Conf. GaN (Flagstaff, Arizona, USA, May 2004)
  13. В.И. Ильин, С.Ф. Мусихин, А.Я. Шик. Варизонные полупроводинки и гетероструктуры (СПб., Наука, 2000)
  14. A.A. Greshnov, D.M. Bauman, B.Y. Ber, A.E. Chernyakov, A.P. Kovarskyi, A.M. Kovtunovich, N.M. Shmidt, B.S. Yavich, A.L. Zakgeim. Proc. 14th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 26--30, 2006) p. 242
  15. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
  16. V. Bougrov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A. Zubrilov. Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 2001)
  17. S. Nakamura, Chichibu, F. Shigefusa. Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (CRC Press, 2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme