Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si

Пагава Т.А.¹

¹Грузинский технический университет, РЦСИ, Тбилиси, Грузия

Поступила в редакцию: 26 июня 2006 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

PDF версия

Исследовались монокристаллы p-кремния полученные методом Чохральского, с концентрацией дырок p=6·10¹³ см^-3. Образцы облучались электронами с энергией 8 МэВ при 300 K. Изохронный отжиг облученных кристаллов производился в интервале температур T_ann=100-500^oC. Исследования проводились методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что отжиг дивакансий происходит путем их преобразования в комплексы B_sV₂. Комплексу B_sV₂ соответствует уровень энергии E_v+0.22 эВ, и он отжигается в интервале температур 360-440^oC. Высказано предположение, что дефекты с уровнем E_v+0.2 эВ, которые отжигаются в интервале температур T_ann=340-450^oC, являются мультикомпонентными комплексами и содержат атомы легирующей и фоновых примесей. PACS: 61.72.Ce, 61.80.Fe, 72.80.Cw

З.В. Башелейшвили, Т.А. Пагава, В.В. Санадзе. Тр. ГПИ. Сер. Физика твердого тела (Тбилиси, 1979) с. 73
И.Ф. Медведева, Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, N 3, 19 (1991)
Н.И. Бояркина, С.А. Смагулова. ФТП, 38, 513 (2004)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
В.И. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, 20, 1055 (1986)
Т.А. Пагава. ФТП, 38, 665 (2004)
И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
P.F. Lugakov, T.A. Lukashevich. Phys. Status Solidi A, 85, 441 (1984)
A.O. Evwaraye, E. Sun, J. Appl. Phys., 47, 3376 (1976)
М.Ю. Барабаненков, А.В. Леонов, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельяновская. ФТП, 33, 897 (1999)
F.P. Anre, P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 55, 984 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель