Вышедшие номера
Влияние облучения на свойства SiC и приборы на его основе О б з о р
Калинина Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

Рассматриваются вопросы радиационного дефектообразования в карбиде кремния различных политипов, типов проводимости и концентраций носителей заряда при облучении высокоэнергетичными частицами в широком интервале их энергий и масс - от электронов до тяжелых ионов Bi. Также рассматривается влияние облучения высокоэнергетичными частицами на оптические и электрические характеристики приборов на основе SiC, в том числе детекторов ядерных излучений. Показаны общие с другими полупроводниками и характерные для SiC закономерности радиационного дефектообразования в SiC. Подтверждена высокая радиационная устойчивость SiC и показана возможность повышения его радиационного ресурса при повышенных энергиях облучающих частиц и рабочих температурах. PACS: 61.72.Hh, 61.80.-x, 68.55.Ln, 71.55.Ht, 81.40.Wx