Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О влиянии условий осаждения на морфологию нитевидных нанокристаллов
Дубровский В.Г.1,2, Сошников И.П.1,2, Сибирев Н.В.3, Цырлин Г.Э.1,2,3, Устинов В.М.1,2, Tchernycheva M.4, Harmand J.C.4
1Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
Поступила в редакцию: 7 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.
Представлены результаты теоретического исследования влияния условий осаждения на морфологические свойства нитевидных нанокристаллов в различных ростовых технологиях. Получены зависимости длины кристаллов от их радиуса, температуры, скорости осаждения, плотности и среднего размера капель - катализаторов роста. Определены значения эффективной диффузионной длины адатома на поверхности подложки в различных режимах роста. Теоретические зависимости длины нитевидных нанокристаллов от радиуса и ростовой температуры поверхности подтверждены экспериментальными данными, полученными для кристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au. PACS: 61.46.Hk, 68.65.La, 68.37.-d, 81.07.Vb
- G. Zheng, W. Lu, S. Jin, C.M. Lieber. Adv. Mater., 16, 1890 (2004)
- T. Bryllert, L.-E. Wernersson, L.E. Froberg, L. Samuelson. IEEE Lett., 27, 323 (2006)
- K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi. J. Appl. Phys., 77, 447 (1995)
- M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 80, 1058 (2002)
- E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Nat. Acad. Sci. USA, 101, 14017 (2004)
- R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
- E.I. Givargizov. J. Cryst. Growth, 31, 20 (1975)
- A.M. Morales, C.M. Lieber. Science, 278, 208 (1998)
- F.M. Ross, J. Tersoff, M.C. Reuter. Phys. Rev. Lett., 95, 146 104 (2005)
- L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
- X. Duan, C.M. Lieber. Adv. Mater., 12, 298 (2000)
- B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, A.I. Persson, C. Thelander, L.R. Wallenberg, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson. Physica E, 13, 1126 (2002)
- W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, J. Johansson, M.W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C.P. Svensson, B.A. Wacaser, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. J. Cryst. Growth, 272, 211 (2004)
- V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
- J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett., 87, 203 101 (2005)
- M.C. Plante, R.R. LaPierre. J. Cryst. Growth, 286 (2), 394 (2006)
- V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth, 289, 31 (2006)
- A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, Yu.B. Samsonenko, N.K. Polyakov, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi A, 203, 1365 (2006)
- И.П. Сошников. Письма в ЖТФ, 31 (15), 29 (2005)
- Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18, 147 (1973)
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. E, 70, 031 604 (2004)
- А.А. Чернов, Н.С. Папков. Кристаллография, 22, 35 (1977)
- D. Kashchiev. Cryst. Growth and Design, 6, 1154 (2006)
- D. Kashchiev. Nucleation: Basic Theory with Applications (Oxford, Butterworth Heinemann, 2000)
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Phys. Rev. E, 73, 021 603 (2006)
- W. Dittmar, K. Neumann. In: Growth and perfection of crystals, eds R.H. Doremus, B.W. Roberts, D. Turnball (N.Y. John, Wiley, 1958) p. 121
- V. Ruth, J.R. Hirth. J. Chem. Phys., 41, 31 (1964)
- J.M. Blakely, K.A. Jackson. J. Chem. Phys., 37, 428 (1962).
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, M. Tchernycheva, J.C. Harmand. ФТП, 40 (9), 1103 (2006)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев. Письма ЖТФ, 32 (5), 1 (2006)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 40 (3), 257 (2006)
- T. Takebe, M. Fujii, T. Yamamoto, K. Fujita, T. Watanabe. J. Appl. Phys., 81, 7273 (1997)
- S. Koshiba, Y. Nakamura, M. Tsuchiya, H. Noge, H. Kano, Y. Nagamune, T. Noda, H. Sakaki. J. Appl. Phys., 76, 4138 (1994)
- Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39 (5), 587 (2006)
- V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003)
- V.G. Dubrovskii. J. Phys.: Condens. Matter, 16, 6929 (2004).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
