Рассеяние электронов на захваченных поверхностных полярных оптических фононах в двухбарьерной гетероструктуре
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 6 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
Показано, что в двухбарьерной гетероструктуре наряду с захватом объемных полярных оптических фононов имеет место захват поверхностных (интерфейсных) фононов. Сила взаимодействия электронов с захваченными интерфейсными фононами снижается с уменьшением толщины фононной ямы - полупроводникового слоя, в котором захвачены фононы. Предложен новый подход для снижения рассеяния электронов полярными оптическими фононами в двухбарьерной квантовой яме, основанный на раздельном захвате фононов в узкие фононные ямы. Вычисленная скорость рассеяния с учетом захвата интерфейсных фононов в квантовых ямах GaAs/InAs/GaAs и AlAs/GaAs/AlAs оказывается много ниже, чем полученная в приближении рассеяния захваченных электронов на объемных фононах. Получено многократное снижение скорости электрон-фононного рассеяния в квантовой яме AlAs/GaAs/AlAs путем разделения ее мономолекулярным слоем InAs, прозрачным для электронов, но являющимся отражающим барьером для полярных оптических фононов. PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.40.Kp
- Ю. Пожела, В. Юцене. ФТП, 29, 459 (1995)
- J. Povzela, V. Juciene, K. Povzela. Semicond. Sci. Technol., 10, 1555 (1995)
- J. Povzela, V. Juciene, A. Namaj unas, K. Povzela. Lithuan. J. Phys., 37, 433 (1997)
- N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
- I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
- C.R. Bennett, M.A. Amato, N.A. Zakhleniuk, B.K. Ridley, M. Babiker. J. Appl. Phys., 45, 1499 (1998)
- J. Povzela, A. Namaj unas, K. Povzela, V. Juciene. Physica E, 5, 108 (1999)
- Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 362 (2006)
- L.F. Register. Phys. Rev. B, 45, 8756 (1992)
- H. Rucker, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
- B.K. Ridley, M. Babiker, N.A. Zakhleniuk, C.R. Bennett. In: Proc. 23rd Int. Conf. "The Physics of Semiconductors" (Berlin, 1996) (Singapore, World Scientific, 1996) p. 1807
- Dong Xu, H.G. Heib, S.A. Kraus, M. Sexl, G. Bohm, G. Trankle, G. Weimann. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 21 (1998)
- D. Xu, J. Osaka, Y. Umeda, T. Suemitsu, Y. Yamane, Y. Ishii. IEEE Electron. Dev. Lett., 20, 109 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук