Спектры электролюминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами1
Гальчина Н.А.1, Коган Л.М.1, Сощин Н.П.1, Широков С.С.1, Юнович А.Э.2
1Научно-производственный центр оптико-электронных приборов "ОПТЭЛ", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
Изучены спектры электролюминесценции светодоидов на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN в ближней ультрафиолетовой области спектра (360-405 нм). Максимумы спектров излучения лежат вблизи 385 и 395 нм, интенсивность излучения спадает экспоненциально с энергией квантов в коротковолновой и длинноволновой областях. Исследованы излучатели в зеленой и желтой спектральной области на основе этих светодиодов, покрытых силикатными люминофорами. Спектры люминесценции люминофоров имеют гауссову форму и максимумы в диапазоне от 525 до 560 нм. Цветовые характеристики излучателей зависят от отношения интенсивностей ультрафиолетовой и желто-зеленой полос. Обсуждаются возможности создания светодиoдов видимого свечения на основе ультрафиолетовых светодиодов, возбуждающих цветные люминофоры. PACS: 78.60.Fi, 85.60.Jb
- S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki. Opto-electronics Rev., 10 (4), 225 (2002)
- T. Taguchi. J. Light \& Visual Environment, 27 (3), 131 (2003)
- С.С. Широков, А.Э. Юнович. Тез. докл. XVIII Межд. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2004) с. 27
- V. Adivarahan, S. Wu, A. Chitnis, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, M. Shatalov, J.P. Zhang, M. Asif Khan, G. Tamulaitis, A. Sereika, I. Yilmaz, M.S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 81 (19), 3666 (2002)
- Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441, 325 (18 May 2006)
- C. Chen, V. Adivarahan, J. Yang, M. Shatalov, E. Kuokstis, M.A. Khan. Jap. J. Appl. Phys., 42, L1039 (2003)
- С.С. Широков, А.Э. Юнович. Тез. докл. 5 Росс. конф. по физике полупроводников (Звенигород, 2005) с. 285
- K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Ima da, M. Kato, T. Taguchi. Jap. J. Appl. Phys., 40, L583 (2001)
- K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, H. Kudo, Y. Sudo, M. Kato, T. Taguchi. Proc. SPIE, 5187, 243 (2004)
- Light Emitting Diodes for General Illumination. Tutorial materials (OIDA), ed. by Jeff I. Tsao (2002). http://lighting.sandia.gov/
- А.Э. Юнович. Светотехника, 3, 2 (2003)
- U. Kaufmann, M. Kunzer, K. Kohler, H. Obloh, W. Pletschen, P. Schlotter, R. Schmidt, J. Wagner, A. Ellens, W. Rossner, M. Kobusch. Phys. Status Solidi A, 188 (1), 143 (2002)
- Л.Я. Марковский, О.Н. Казанкин. Неорганические люминофоры (М., Химия, 1976)
- Z. Wang, H. Liang, M. Gong, Q. Su. Electrochem. Solid-State Lett., 8 (4), 33 (2005)
- K. Yamada, M. Ohta, T. Taguchi. J. Light \& Visual Environment, 28 (2), 73 (2004)
- Cheng-Huang Kuo, Jinn-Kong Sheu, Shoou-Jinn Chang, Yan-Kuin Su, Liang-Wen Wu, Ji-Ming Tsai, C.H. Liu, R.K. Wu. Jap. J. Appl. Phys., 42, 2284 (2003)
- М.Л. Бадгутдинов, Н.А. Гальчина, Е.В. Коробов, Л.М. Коган, Ф.А. Лукьянов, И.Т. Рассохин, Н.П. Сощин, А.Э. Юнович. ФТП, 40, 758 (2006)
- М.Л. Бадгутдинов, Н.А. Гальчина, Л.М. Коган, И.Т. Рассохин, Н.П. Сощин, А.Э. Юнович. Светотехника, 3, 36 (2006)
- А.Д. Азоров, Н.П. Сощин. Электронная промышленность, 1, 24 (2006)
- Н.П. Сощин, В.А. Большухин. Электронная промышленность, 1, 39 (2006)
- С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 39, 1131 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.