Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2007, выпуск 10 » Статья стр. 1272
<<<
Дефекты структуры полупроводниковых сверхрешеток, выращиваемых на основе твердых растворов соединений AIIBVI
Кузнецов Г.Ф.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
PDF версия
Методами рентгенодифрактометрии, дифракционных псевдокривых качания и частично рентгеновским топографическим методом изучены особенности дефектов кристаллических решеток многослойных приборных структур, содержащих малопериодные (T=<sssim20 нм) сверхрешетки, I типа ZnSe/CdxZn1-xSe/ZnSe/... /ZnSe/(001)GaAs и II типа ZnS/ZnSe1-xSx/ZnS/.../ZnS/(001)GaAs. По данным количественного анализа рентгенодифракционных спектров периоды сверхрешеток, которые оказались в пределах TI=11.3-16.1 нм (при составах CdxZn1-xSe x1=0.047 и x2=0.107) для I типа сверхрешеток и TII=15.6-17.2 нм для II типа (при составах ZnSe1-xSx x1=0.20 и x2=0.10). Ширины дифракционных максимумов как от слоев ZnSe, так и от малопериодных сверхрешеток на дифракционных псевдокривых качания значительно превышают их ширины на рентгенодифракционных спектрах. Это доказывает, что в изученных образцах приборных структур произошла мощная пластическая деформация с образованием рядов прямолинейных дислокаций в пересекающихся системах скольжения. Чтобы исключить генерацию дислокаций в процессах выращивания необходимо уменьшить концентрации твердого раствора до величин x<0.047 для первого типа сверхрешеток и до x=<sssim0.062 для второго типа сверхрешеток, а также надо уменьшить толщину слоев ZnSe и ZnS. PACS: 61.10.Nz, 68.37.Yz, 81.05.Dz, 85.35.Be
  1. Ж.И. Алфёров, Ю.В. Жиляев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 5 (1), 196 (1971)
  2. Ж.И. Алфёров. В кн.: Наука и человечество. Международный ежегодник (М., Знание, 1976)
  3. Р.А. Сурис. Электронная промышленность, N 5, 52 (1977)
  4. Ю.В. Гуляев, Л.Ю. Захаров, В.А. Лузанов и др. ДАН СССР, 302 (5), 1098 (1988)
  5. Г.Ф. Кузнецов. Электрон. техн., сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, N 3 (114), 39 (1985)
  6. Г.Ф. Кузнецов. Автореф. докт. дис. (М., ИРЭ АН СССР, 1989)
  7. Г.Ф. Кузнецов, А.С. Игнатьев, В.А. Кусиков и др. Деп. ВИНГИТИ N 200-093, 29.01.93
  8. Л.С. Палатник, А.А. Козьма, И.Ф. Михайлов, В.Н. Маслов. Кристаллография, 33 (2), 570 (1978)
  9. С.П. Никаноров, Б.К. Кардашев. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов (М., Наука, 1985)
  10. Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 40 (5), 936 (1995)
  11. Г.Ф. Кузнецов. ЖТФ, 66 (1), 18 (1996)
  12. Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 45 (2), 326 (2000)
  13. Ю.П. Хапачев, Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 28 (1), 27 (1983)
  14. Г.Б. Бокий, Г.Ф. Кузнецов. ДАН СССР, 279 (4), 876 (1984)
  15. G.F. Kuznetsov. In: Physics of Semiconductors Devices, ed. by V. Kumar, S.K. Agarwal (Delhi, India, 1997) v. II, p. 1099
  16. G.F. Kuznetsov. In: Physics of Semiconductors Devices, ed. by V. Kumar, S.K. Agarwal (Delhi, India, 1999) v. I, p. 179
  17. Г.Ф. Кузнецов. Электрон. техн., сер. 6. Материалы, N 2, 106 (1974)
  18. Г.Ф. Кузнецов, С.А. Семилетов. Обзоры по электрон. техн. Сер. Микроэлектроника, вып. 1 (280) (М., ЦНИИ "Электроника", 1975)
  19. Г.Ф. Кузнецов, А.А. Телегин, Л.С. Телегина и др. В кн.: Процессы синтеза и роста полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, Наука, 1975) ч. 2
  20. Г.Ф. Кузнецов, В.Г. Ральченко, В.П. Варнин и др. Кристаллография, 47 (2), 333 (2002)
  21. Г.Ф. Кузнецов. ЖТФ, 73 (12), 45 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme