Вышедшие номера
Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных p+-n-переходов
Калинина Е.В.1, Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Ситникова А.А.1, Садохин А.В.1, Азаров А.Ю.2, Коссов В.Г.2, Яфаев Р.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Электрон--Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

Впервые представлены результаты исследования спектрометрических характеристик в температурном интервале 25-140oC матриц из 4 детекторов, выполненных на основе 4H-SiC ионно-легированных p+-n-переходов. Переходы создавались ионной имплантацией алюминия в эпитаксиальные слои 4H-SiC толщиной =<45 мкм, выращенные методом газотранспортной эпитаксии с концентрацией нескомпенсированных доноров (4-6)·1014 см-3. Структурные особенности ионно-легированных p+-слоев изучались с привлечением вторичной ионной масс-спектрометрии, просвечивающего электронного микроскопа и метода резерфордовского обратного рассеяния в режиме каналирования. Характеристики детекторных матриц определялись при тестировании на воздухе alpha-частицами естественного распада с энергией 3.76 МэВ. Экспериментально подтверждены данные, полученные ранее для аналогичных единичных детекторов, что с увеличением рабочей температуры улучшались основные характеристики детекторных матриц - эффективность собирания заряда и разрешение по энергии. PACS: 61.82.-d, 61.80.Jh, 87.66.Pm, 85.30.De, 29.40.Wk