Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование приповерхностной протонно-стимулированной диффузии бора в кремнии

Александров О.В.¹, Козловский В.В.²

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 июня 2007 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

PDF версия

Впервые разработана количественная модель приповерхностного перераспределения легирующей примеси в кремнии в процессе протонно-стимулированной диффузии. Согласно модели, приповерхностный пик концентрации примеси обусловлен миграцией к поверхности нейтральных пар примесь-собственный межузельный атом с последующим их распадом и накоплением примеси на поверхности кремния в тонком delta-слое. Следующие в глубь за приповерхностным пиком концентрации области обеднения и обогащения вызваны вытеснением ионизованной примеси электрическим полем из приповерхностной области его проникновения. Поле создается образующимся под действием протонного облучения зарядом пленки естественного оксида на поверхности кремния. Диффузионно-кинетические уравнения для примеси, собственных межузельных атомов, вакансий и пар примесь-собственный межузельный атом решались численно совместно с уравнением Пуассона. Показано количественное соответствие расчетов экспериментальным данным по протонно-стимулированной диффузии примеси бора в приповерхностной области кремния. PACS: 61.72.Bb, 66.30.Jt, 61.72.Tt, 85.40.Ry

P. Baruch, C. Constantin, J.C. Pfister, R. Saintesprit. Disc. Faraday Soc., 31, 86 (1961)
R.L. Minear, D.G. Nelson, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 43 (8), 3468 (1972).
S.M. Myers, D.E. Amos, D.K. Brice. J. Appl. Phys., 47 (5), 1812 (1976)
B.J. Masters, E.F. Gorey. J. Appl. Phys., 49 (5), 2717 (1978)
Т.Д. Джафаров. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1991)
В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
P. Baruch. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 126 (1977)
W.K. Chu, R.H. Kastl, R.F. Lever, S. Mader, B.J. Masters. Phys. Rev. B, 16 (9), 3851 (1977)
В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, Г.М. Гурьянов, А.П. Коварский. ФТП, 16 (11), 2089 (1982)
M. Kurata, Y. Morikawa, K. Nagaki, H. Kuroda. Jpn. J. Appl. Phys., 12 (3), 472 (1973)
W. Akutagava, H.L. Dunlap, R. Hart, O.J. Marsh. J. Appl. Phys., 50 (2), 777 (1979)
V.V. Kozlovski, V.N. Lomasov, L.S. Vlasenko. Rad. Eff., 106, 37 (1988)
Г.А. Качурин, Г.В. Гадияк, В.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТП, 26 (11), 1977 (1992)
P. Baruch, S. Loualiche, C. Lukas, J.P. Gailliard, J.C. Pfister, R. Truche. Радиационная физика полупроводников и родственных материалов (Тбилиси, 1980)
S. Loualiche, C. Lukas, P. Baruch, J.P. Gailliard, J.C. Pfister. Phys. Status Solidi A, 69, 663 (1982)
В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ФТП, 18 (5), 956 (1984)
И.А. Аброян, А.И. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
A.V. Kondrachuk. Phys. Status. Solidi A, 112, 411 (1989)
R.B. Fair. In: Impurity doping processes in silicon, ed. by F.F.Y. Wang (N.Y., 1981)
G.D. Watkins. J. Phys. Soc. Japan, 18 (Suppl. II), 22 (1963)
G.B. Bronner, J.D. Plummer. Appl. Phys. Lett., 46 (5), 510 (1985)
U. Gosele, A. Plossl, T.Y. Tan. In: Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology, ed. by G.R. Srinivasan, C.S. Murthy and S.T. Dunham (N.Y., 1996)
О.В. Александров. ФТП, 38 (3), 270 (2004)
А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (Минск, Изд-во БГУ, 1980)
Дж. Корбетт, Ж. Бургуэн. Дефектообразование в полупроводниках. В сб.: Точечные дефекты в твердых телах, пер. под ред. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец и А.Н. Орлова (М., Мир, 1979) с. 9. [J.W. Corbett, J.C. Bourgoin. Defect creation in semiconductors. In: Point Defects in Solids, 2. Semiconductors and Molecular Crystals, ed. by J.H. Crawford, L.M. Slifkin (London, N.Y., Plenum Press, 1975) p. 1]
B.R. Chakraborty. Appl. Surf. Sci., 221, 143 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель