Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм формирования отклика газового сенсора водорода на основе кремниевого МОП диода

Гаман В.И.¹, Балюба В.И.¹, Грицык В.Ю.¹, Давыдова Т.А.¹, Калыгина В.М.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 14 мая 2007 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

PDF версия

Обсуждаются экспериментальные данные по зависимости напряжения плоских зон и времени релаксации емкости области пространственного заряда МОП диода (Pd-SiO₂-n-Si) от концентрации водорода в газовой смеси водород/воздух. Предполагается, что в МОП структуре с толщиной слоя SiO₂ d=369 нм изменение напряжения плоских зон U_fb при воздействии газовой смеси водород/воздух можно объяснить образованием диполей в зазоре Pd-SiO₂ за счет поляризации атомов водорода (H_a). Получено аналитическое выражение, описывающее зависимость изменения напряжения плоских зон Delta U_fb от концентрации водорода n_H₂. В МОП структурах с d=< 4 нм (или МОП диодах) Delta U_fb в основном обусловлено процессом пассивации атомами водорода центров, ответственных за наличие на границе SiO₂-n-Si поверхностных состояний акцепторного типа. Получены аналитические выражения, описывающие зависимости Delta U_fb и времени релаксации емкости области пространственного заряда от n_H₂. Приводятся значения плотности центров адсорбции и теплоты адсорбции атомов водорода на границах раздела Pd-SiO₂ и SiO₂-n-Si. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Qv, 82.65.+r

J. Fogelberg, M. Eriksson, H. Dannetun, L.-G. Peterson. J. Appl. Phys., 78 (2), 988 (1995)
A. Diligenti, M. Stagi, V. Ciuti. Sol. St. Commun., 45, 347 (1983)
В.И. Гаман, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 46 (4), 3 (2003)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
J. Chevallier, M. Auconturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
Э.М. Омельяновский, Ф.Я. Полякова. Высокочистые вещества, N 5, 5 (1988)
В.И. Гаман, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, 42 (9), 3 (1999)
L.-G. Peterson, H.M. Dannetun, J. Fogelberg, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 58 (1), 404 (1985)
И.Ф. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях (М., Наука, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель