Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффективная генерация первой волноводной моды в гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP

Бирюков А.А.¹, Звонков Б.Н.¹, Некоркин С.М.¹, Алёшкин В.Я.², Дубинов А.А.², Кочаровский В.В.^3,4, Кочаровский Вл.В.⁴

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Физический факультет Техасского A&М университета, Колледж Стейшн, США
⁴Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 3 июля 2007 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

PDF версия

Исследована генерация первой возбужденной поперечной моды (TE₁) в диодном гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP новой конструкции, центральная часть волновода которого содержит тонкий слой InGaP. Данная конструкция лазера снижает конкуренцию первой и основной мод и обеспечивает генерацию моды TE₁ при величине порогового тока, сравнимого с величиной порогового тока обычного лазера, генерирующего основную моду TE₀. PACS: 42.55.Px, 42.65.An, 42.70.Nq, 78.67.De

M. Jager, G.I. Stegeman, M.C. Flipse, M. Diemeer, G. Mohlmann. Appl. Phys. Lett., 69, 4139 (1996)
В.Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.Б. Звонков. ФТП, 35, 1256 (2001)
А.А. Белянин, Д. Деппе, В.В. Кочаровский, Вл.В. Кочаровский, Д.С. Пестов, М.О. Скалли. УФН, 173, 1015 (2003)
A.A. Biryukov, V.Ya. Aleshkin, S.M. Nekorkin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky. J. Mod. Opt., 52, 2323 (2005)
Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 2, гл. 7, с. 204

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель