Представлены результаты исследования процесса диффузии примеси Cr в GaAs по данным электрических измерений. Определены зависимости коэффициента диффузии и предельной растворимости электрически активных атомов Cr в GaAs от температуры (при фиксированных давлениях паров As) и от давления паров As (при фиксированных температурах). Установлена зависимость коэффициента диффузии Cr в GaAs от отношения объема исследуемого образца к объему ампулы для случая сильного отклонения от стехиометрии кристалла в сторону избытка Ga. Полученные экспериментальные результаты анализируются на основе представлений о диссоциативном механизме миграции атомов Cr в кристаллической решетке GaAs, согласно которому коэффициент диффузии существенно зависит от концентрации вакансий Ga. PACS: 66.30.Jt, 68.35.Fx, 81.40.Vw

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.