Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллических соединений AgCd2GaS4
Булатецкая Л.В.1, Божко В.В.1, Давидюк Г.Е.1, Парасюк О.В.1
1Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 31 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.
Исследовались малоизученные монокристаллические соединения AgCd2GaS4, которые кристаллизуются в ромбической структуре (пространственная группа Pmn21). Нарушение стехиометрии образцов и статистическое заполнение ионами атомов Ag и Ga катионной подрешетки ведет к нарушению дальнего порядка в расположении атомов и приближает соединения AgCd2GaS4 к неупорядоченным системам. При этом наблюдается размытие и смещение в длинноволновую область края полосы собственного поглощения, которая хорошо описывается правилом Урбаха, а также расширение спектров фотопроводимости и люминесценции. Рассчитана концентрация точечных заряженных дефектов, ответственных за размытие края поглощения. Она оказалась равной 1.2·1020 см-3. Монокристаллы AgCd2GaS4 являются фоточувствительными полупроводниками. По положению края поглощения была оценена оптическая ширина запрещенной зоны соединения (Eg0~2.28 эВ при T~297 K). Спектры фотолюминесценции монокристаллов AgCd2GaS4 подобны таковым, которые имеют место в дефектных монокристаллах CdS с положением максимумов излучения, сдвинутым по отношению к максимумам в CdS в длинноволновую область на величину Deltalambda~0.06-0.1 мкм. Из анализа экспериментальных данных делаются выводы о природе фотоактивных центров в соединениях AgCd2GaS4. PACS: 72.40.+w, 74.70.Dd, 78.55.-m
- S.Y. Chykhriy, O.V. Parasyuk, V.O. Halka. J. Alloys Comp., 321, (1--2), 189 (2000)
- I.D. Olekseyuk, O.V. Parasyuk, V.O. Halka, L.V. Piskach, V.Z. Pankevych, Ya.E. Romanyuk. J. Alloys Comp., 325, 167 (2001)
- I.D. Olekseyuk, O.V. Parasyuk, O.M. Yurchenko, V.Z. Pankevych, V.I. Zaremba, R. Valiente, Ya.E. Romanyuk. J. Cryst. Growth, 279, 140 (2005)
- V.V. Atuchin, V.Z. Pankevich, O.V. Parasyuk, N.V. Pervukhina, L.D. Pokrovsky, V.G. Remesnik, V.N. Uvarov, V.I. Pekhnyo. J. Cryst. Growth, 292, 494 (2006)
- Г.Е. Давидюк, И.Д. Олексеюк, О.В. Парасюк, С.В. Воронюк, О.А. Гусак, В.И. Пехньо. Укр. физ. журн., 50 (5), 679 (2005)
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайнер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
- Н. Мотт, Е. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974) с. 51, 207, 211, 231
- А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТП, 19 (2), 193 (1985)
- Е.Ф. Венгер, И.Б. Ермолович, В.В. Миленин, В.П. Папуша. ФТП, 36 (7), 817 (2002)
- А.Н. Георгобиани, В.С. Дону, З.П. Илюхина, В.И. Павленко, И.М. Тигиняну. ФТП, 17 (8), 1524 (1983)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981) с. 179
- Оптические свойства полупроводников. Справочник, под ред. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко (Киев, Наук. думка, 1987) с. 388
- Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк, Г.П. Шаварова, В.В. Булатецкий. Неорг. матер., 33 (1), 20 (1997)
- В.С. Лысаков, Л.В. Селимов. Изв. вузов. Физика, 23 (6), 121 (1980)
- И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, Г.С. Пекарь, М.К. Шейнкман. Укр. физ. журн., 18 (5), 732 (1973)
- Н.С. Богданюк, Г.Е. Давидюк, Г.П. Шаварова. ФТП, 29 (2), 357 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
