Вышедшие номера
Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллических соединений AgCd2GaS4
Булатецкая Л.В.1, Божко В.В.1, Давидюк Г.Е.1, Парасюк О.В.1
1Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 31 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

Исследовались малоизученные монокристаллические соединения AgCd2GaS4, которые кристаллизуются в ромбической структуре (пространственная группа Pmn21). Нарушение стехиометрии образцов и статистическое заполнение ионами атомов Ag и Ga катионной подрешетки ведет к нарушению дальнего порядка в расположении атомов и приближает соединения AgCd2GaS4 к неупорядоченным системам. При этом наблюдается размытие и смещение в длинноволновую область края полосы собственного поглощения, которая хорошо описывается правилом Урбаха, а также расширение спектров фотопроводимости и люминесценции. Рассчитана концентрация точечных заряженных дефектов, ответственных за размытие края поглощения. Она оказалась равной 1.2·1020 см-3. Монокристаллы AgCd2GaS4 являются фоточувствительными полупроводниками. По положению края поглощения была оценена оптическая ширина запрещенной зоны соединения (Eg0~2.28 эВ при T~297 K). Спектры фотолюминесценции монокристаллов AgCd2GaS4 подобны таковым, которые имеют место в дефектных монокристаллах CdS с положением максимумов излучения, сдвинутым по отношению к максимумам в CdS в длинноволновую область на величину Deltalambda~0.06-0.1 мкм. Из анализа экспериментальных данных делаются выводы о природе фотоактивных центров в соединениях AgCd2GaS4. PACS: 72.40.+w, 74.70.Dd, 78.55.-m