Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические и структурные свойства двусторонне delta-легированных PHEMT-гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs

Васильевский И.С.¹, Галиев Г.Б.¹, Климов Е.А.¹, Мокеров В.Г.¹, Широков С.С.¹, Имамов Р.М.², Субботин И.А.²

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 17 сентября 2007 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведена оптимизация используемой для создания мощных транзисторов двусторонне delta-легированной кремнием псевдоморфной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/AlGaAs для получения высокой концентрации n_s и подвижности двумерного электронного газа в квантовой яме (n_s~3·10¹² см^-2). На выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии образцах с различным уровнем легирования проведены исследования электрофизических и структурных характеристик. Показано, как при увеличении легирования изменяется подвижность и концентрация электронов при последовательном заполнении подзон размерного квантования. Для анализа распределения электронов в подзонах гетероструктуры исследовались осцилляции Шубникова-де-Гааза при температуре жидкого гелия. Качество слоев гетероструктур оценено с помощью рентгенодифракционных измерений. Данные спектроскопии фотолюминесценции хорошо согласуются с расчетами зонной структуры. PACS: 73.50.Jt, 73.61.Ey, 73.63.Hs, 78.67.De, 73.43.Qt, 61.10.Nz

C. Gaquiere, J. Grunenutt, D. Jambon, E. Dolos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. IEEE Electron. Dev. Lett., 26 (8), 533 (2005)
M.V. Baeta Moreira, M.A. Py, M. Gailhanou, M. Ilegems. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 103 (1992)
C.S. Wu, F. Ren, S.J. Pearton, M. Hu, C.K. Pao, R.F. Wang. IEEE Trans. Electron. Dev., 42, 1419 (1995)
X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. Sol. St. Electron., 45, 751 (2001)
X. Cao, Y. Zheng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu, X. Wang, Y. Chang, J. Chu. J. Cryst. Growth, 231, 520 (2001)
C.S. Wu, C.K. Pao, W. Yau, H. Kanber, M. Hu, S.X. Bar, A. Kurdoghlian, Z. Bardai, D. Bosch, C. Seashore, M. Gawronski. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniq., 43, 257 (1995)
W.E. Hoke, P.S. Lyman, W.H. Labossier, S.K. Brierley, H.T. Hendriks, S.R. Shanfield, L.M. Aucoin, T.E. Kazior. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1066 (1992)
G.L. Zhou, W. Liu, M.E. Lin. J. Cryst. Growth, 227-228, 218 (2001)
K.T. Chan, M.J. Lighther, G.A. Patterson, K.M. Yu. Appl. Phys. Lett., 56, 2022 (1990)
H. Toyoshima, T. Niwa, J. Yamazaki, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 75, 3908 (1994)
K.J. Chao, N. Liu, C.K. Shin. Appl. Phys. Lett., 75, 1703 (1999)
Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров. Микроэлектроника, 35 (2), 67 (2006)
Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
H.M. Sheih, W.C. Hsu, C.L. Wu. Appl. Phys. Lett., 63, 509 (1993)
A. Leuthery, A. Forstery, H. Lethy, H. Holzbrecherz, U. Breuer. Semicond. Sci. Technol., 11, 766 (2000)
S.C. Jainyz, M. Willander, H. Maes. Semicond. Sci. Technol., 11, 641 (1996)
А.М. Афанасьев, Р.М. Имамов. Кристаллография, 48 (5), 786 (2003)
P.W. Yu, B. Jogai, T.J. Rogers, P.A. Martin, J.M. Ballingall. J. Appl. Phys., 76, 7535 (1994)
S.K. Brierley. J. Appl. Phys., 74, 2760 (1993)
С.Н. Якунин, Э.М. Пашаев, А.А. Зайцев. Микроэлектроника, 34 (4), 1 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель