Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Коэффициент неидеальности вольт-амперных характеристик p-n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле

Шамирзаев С.Х.¹, Гулямов Г.², Дадамирзаев М.Г.¹, Гулямов А.Г.²

¹Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

²Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан

Поступила в редакцию: 21 декабря 2007 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние разогрева электронов и дырок на коэффициент неидеальности вольт-амперной характеристики p-n-перехода в сильном СВЧ поле. Установлено, что коэффициент неидеальности диода зависит от типа носителей заряда, создающего основной ток в p-n-переходе. Выявлено, что в некоторых случаях в кремниевых образцах, несмотря на то что температура электронов выше, чем дырок, коэффициент неидеальности диода определяется температурой дырок. PACS: 73.40.Kp, 73.50.Mx, 72.30.+q

Ф.Г. Басс, Ю.Г. Гуревич. Горячие электроны и сильные электромагнитные поля в плазме полупроводников и газового разряда (М., Наука, 1975)
А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицский, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
Г. Гулямов, С.Х. Шамирзаев. ФТП, 15, 1858 (1981)
Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев. Узб. физ. журн., N 3, 48 (1998)
Г. Гулямов, К.Б. Умаров. ФТП, 28, 686 (1994)
Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, С.Р. Бойдедаев. ФТП, 34, 572 (2000)
Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, С.Р. Бойдедаев. ФТП, 34, 266 (2000)
Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, Н.В. Угрюмова, С.Б. Вениг, В.Е. Орлов. ФТП, 34 (5), 567 (2000)
С.П. Ашмонтас, А.П. Олекас. Литов. физ. сб., 20 (2), 39 (1980)
С.П. Ашмонтас, А.П. Олекас, Э.И. Ширмулис. ФТП, 19, 807 (1985)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
C.T. Sah, R.H. Noyce, W. Shockly. Proc. IRE, 45 (9), 1228 (1957)
Г. Гулямов, К.Б. Умаров. ФТП, 29, 33 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель