Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние галогенов на образование и свойства слоев пористого кремния

Болотов В.В.¹, Стенькин Ю.А.¹, Давлеткильдеев Н.А.¹, Кривозубов О.В.¹, Пономарева И.В.¹

¹Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия

Поступила в редакцию: 27 декабря 2007 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности слоев пористого кремния на подложке p-Si, полученных анодным травлением в электролите с добавлением свободных галогенов (бром, йод) и галогенидов калия (KCl, KI). Установлено, что присутствие галогенов в электролите способствует формированию крупных пор диаметром до 150 нм. Механизм увеличения размеров пор при участии галогенов связывается с ростом концентрации свободных дырок за счет образования донорно-акцепторных пар при адсорбции галогенов на поверхности кремния. PACS: 61.43.Gt, 68.55.Jk, 68.37.Ps

Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 34, 1130 (2000)
Г.К. Мороз, А.В. Жерздев. ФТП, 28, 949 (1994)
Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
L. Boarino, C. Baratto, F. Geobaldo, G. Amato, E. Comini, A.M. Rossi, G. Faglia, G. Le'rondel, G. Sberveglieri. Mater. Sci. Eng. B., 69-70, 210 (2000)
Е.А. Константинова, Л.А. Осминкина, К.С. Шаров, Е.В. Курепина, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. ЖЭТФ, 126, 857 (2004)
В.В. Болотов, И.В. Пономарева, Ю.А. Стенькин, В.Е. Кан. ФТП, 41, 981 (2007)
Л.А. Осминкина, Е.А. Константинова, К.С. Шаров, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 39, 365 (2005)
А.С. Воронцов, Л.А. Осминкина, А.Е. Ткаченко, Е.А. Константинова, В.Г. Еленский, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 41, 972 (2007)
V. Barone, F. Lelj, N. Russo, M. Toscano. Sol. St. Commun., 59, 433 (1986)
A. Motohashi, M. Ruike, M. Kawakami, H. Aoyagi, A. Kinoshita, A. Satou. Jpn. J. Appl. Phys., 35, 4253 (1996)
С.П. Зимин. ФТП, 34, 359 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель