Вышедшие номера
Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием
Рабенок Е.В.1, Гапанович М.В.1, Новиков Г.Ф.1, Один И.Н.2
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga2Te3 - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Bb, 61.72.uj, 73.50.Gr, 73.61.Ga, 78.60-b