Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 9 » Статья стр. 1253
<<<>>>
Исследование туннельных диодов GaAs : Si/GaAs : C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Винокуров Д.А.1, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Падалица А.А.2, Пихтин Н.А.1, Симаков В.А.2, Сухарев А.В.2, Фетисова Н.В.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
PDF версия
Определены технологические режимы для создания высокоэффективных туннельных структур GaAs : Si/GaAs : C методом МОС-гидридной эпитаксии. Продемонстрировано, что использование легирующих примесей C и Si позволяет получить p-n-переход с малым диффузионным размытием профилей легирующих примесей. Показано, что для создания высокоэффективных туннельных диодов необходимо легирование слоев GaAs акцепторной и донорной примесью до уровня ~9·1019 см-3. На основе созданных туннельных структур изготовлены туннельные диоды и исследованы их вольт-амперные характеристики. В туннельных диодах достигнуты значения плотности пикового тока Jp~1.53 кА/см2 и при обратном смещении дифференциальное сопротивление R~30 мОм. PACS: 85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 81.15.Ch
  1. J.P. van der Ziel, W.T. Tsang. Appl. Phys. Lett., 41 (6), 499 (1982)
  2. J.Ch. Garsia, E. Rosencher, Ph. Collot, N. Laurent, J.L. Guyaux, B. Vinter, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 71 (26), 3752 (1997)
  3. S.G. Patterson, G.S. Petrich, R.J. Ram, L.A. Kolodziejski. Electron. Lett., 35, 395 (1999)
  4. C. Hanke, L. Korte, B.D. Acklin, M. Behringer, G. Herrmann, J. Luff, B. De Odorico, M. Marchiano, J. Wilhelmi. Proc. SPIE, 3947, 50 (2000)
  5. S.G. Patterson, E.K. Lau, K.P. Pipe, R.J. Ram. Appl. Phys. Lett., 77 (2), 172 (2000)
  6. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1, с. 234. [Пер. с англ.: H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure lasers (N.Y. San Francisco-London, Academic Press, 1978) v. 1]
  7. В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы (М., Высш. шк., 1987) с. 177
  8. И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1980) с. 10
  9. N. Watanabe, H. Ito, T. Ishibashi. J. Cryst. Growth, 147, 256 (1995)
  10. H. Li, F. Reinhardt, S. Macomber. J. Cryst. Growth, 256, 52 (2003)
  11. В.М. Лантратов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 41 (6), 751 (2007)
  12. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонова, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme