Вышедшие номера
Исследование туннельных диодов GaAs : Si/GaAs : C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Винокуров Д.А.1, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Падалица А.А.2, Пихтин Н.А.1, Симаков В.А.2, Сухарев А.В.2, Фетисова Н.В.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Определены технологические режимы для создания высокоэффективных туннельных структур GaAs : Si/GaAs : C методом МОС-гидридной эпитаксии. Продемонстрировано, что использование легирующих примесей C и Si позволяет получить p-n-переход с малым диффузионным размытием профилей легирующих примесей. Показано, что для создания высокоэффективных туннельных диодов необходимо легирование слоев GaAs акцепторной и донорной примесью до уровня ~9·1019 см-3. На основе созданных туннельных структур изготовлены туннельные диоды и исследованы их вольт-амперные характеристики. В туннельных диодах достигнуты значения плотности пикового тока Jp~1.53 кА/см2 и при обратном смещении дифференциальное сопротивление R~30 мОм. PACS: 85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 81.15.Ch