Вышедшие номера
Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода
Путято М.А.1, Болховитянов Ю.Б.1, Василенко А.П.1, Гутаковский А.К.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6o вокруг оси <011>. Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0.1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному. PACS: 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.-z