Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния
1Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина 
2Национальный научный центр "Физико-технический институт" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Национальный научный центр "Физико-технический институт" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 16 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Изучено влияние облучения электронами на оптические и электрофизические свойства нанокристаллических пленок карбида кремния ромбоэдрических политипов 21R-SiC и 27R-SiC. Проведены циклы облучения нанокристаллических пленок SiC на подложках из сапфира электронами с энергией 10 МэВ в диапазоне флюэнсов 5·1014-9·1019 см-2. Установлено, что при дозах облучения менее 1019 см-2 оптическое поглощение пленок в области энергий фотонов E>Eg становится меньше оптического поглощения необлученных пленок. Установлено, что зависимость энергии Урбаха от дозы облучения имеет минимум при дозе 1017 см-2 для пленок 27R-SiC и при 5·1017 см-2 для пленок 21R-SiC, что свидетельствует о радиационном упорядочении пленок. При увеличении дозы более 5·1017 см-2 и вплоть до 9·1019 см-2 в пленках наблюдаются рост энергии Урбаха и уменьшение оптической щели, что обусловлено повышением концентрации радиационных дефектов. PACS: 81.40.Wx, 61.82.Rx, 78.40.Fy, 78.66.Li, 78.67.Bf
- Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, SiC, SiGe; ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (N. Y., John Wiley \& Sons, 2001) p. 197
- Е.В. Калинина. ФТП, 41, 769 (2007)
- А.А. Лебедев, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук, Р. Якимова. ФТП, 36, 1354 (2002)
- А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
- H. Inui, H. Mori, H. Tuiuta. Phil. Mag. B, 61, 107 (1990)
- V.B. Pinheiro, T. Linger, F. Candepon, S. Greulich-weber, J.M. Spaeth. Mater. Sci. Forum, N 457--460, 517 (2004)
- T. Wimbauer, B.K. Meyer, A. Hofstaetter, A. Sharmann, H. Ovehof. Phys. Rev., 56, 7384 (1997)
- М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
- A.V. Semenov, A.V. Lopin, V.M. Puzikov. Surface, X-Ray, Synchrotron and Neutron Research, N 9, 99 (2004)
- A.V. Semenov, V.M. Puzikov, M.V. Dobrotvorskaya, A.G. Fedorov, A.V. Lopin. Thin Sol. Films, N 516, 2899 (2008)
- А.В. Семенов, В.М. Пузиков, Е.П. Голубова, В.Н. Баумер, М.В. Добротворская. ФТП, 43, 714 (2009)
- M.I. Ayzatsky, Yu.I. Akchurin, V.I. Beloglasov, E.Z. Biller, V.N. Boriskin, V.A. Gurin, N.V. Demidov, A.N. Dovbnya, B.P. Krivchikov, V.B. Myfel, V.A. Popenko, V.A. Kushnir, S.P. Levandovsky, V.V. Mitrochenko, D.L. Stepin, V.A. Shendrik, A.N. Savchenko, L.E. Tolstoi, B.A. Terehov, Yu.D. Tur, V.A. Vishnyakov, V.L. Uvarov, A.V. Zavada. Proc. 14th Conf. on Charged Particle Accelerators (Protvino, Russia, 1994) v. 4, p. 259
- J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15, 627 (1966)
- F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
- D.R. Hamilton, Lyle Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev., 138, A1472 (1965)
- С.М. Зубкова, Л.Н. Русина, Е.В. Смелянская. ФТП, 37, 257 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
