Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект ориентации поверхности кремния в модели объемного термического окисления

Александров О.В.¹, Дусь А.И.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 15 января 2009 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

PDF версия

На основе объемной модели термического окисления кремния [О.В. Александров, А.И. Дусь. ФТП, 41 (11), 1400 (2008)] проведен анализ ориентационной зависимости скорости окисления кремния в сухом кислороде. Определены ориентационные и температурные зависимости коэффициента диффузии в напряженном диоксиде кремния и характеристического времени его релаксации. Орентационная зависимость коэффициента диффузии окислителя в диоксиде кремния на границе реакционной зоны, D₁(110)>D₁(111)>D₁(100), связывается с ориентирующим влиянием монокристаллической подложки кремния на структуру и плотность прилегающего к нему диоксида кремния. Ориентационная зависимость характеристического времени релаксации, tau(100)>tau(110)>tau(111), обратно коррелирует с ориентационной зависимостью D₁ для ориентаций (100) и (111) и прямо - с внутренними механическими напряжениями для ориентаций (110) и (111). PACS: 81.65.Ps, 81.05.Cy, 68.35.Md

Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев. Система кремний--диоксид кремния субмикронных СБИС (М., Техносфера, 2003)
J.R. Ligenza. J. Phys. Chem., 65, 2011 (1961)
B.E. Deal. J. Electrochem. Soc., 110, 527 (1963)
W.A. Pliskin. IBM J. Res. Dev., 10, 198 (1966)
B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965)
S.I. Raider, L.E. Forget. J. Electrochem. Soc., 127, 1783 (1980)
D.W. Hess, B.E. Deal. J. Electrochem. Soc., 124, 735 (1977)
B.E. Deal, D.W. Hess, J.D. Plummer, C.P. Ho. J. Electrochem. Soc., 125, 339 (1978)
E.A. Irene. J. Electrochem. Soc., 121, 1613 (1974)
H.Z. Massoud, J.D. Plummer, E.A. Irene. J. Electrochem. Soc., 132, 1745 (1985)
E.A. Taft. J. Electrochem. Soc., 132, 2487 (1985)
J. van der Meulen. J. Electrochem. Soc., 119, 530 (1972)
E.A. Irene, H.Z. Massoud, E. Trierney. H.Z.J. Electrochem. Soc., 133, 1253 (1986)
E.A. Lewis, E.A. Irene. J. Electrochem. Soc., 134, 2332 (1987)
J.L. Ngau, P.B. Griffin, J.D. Plummer. J. Electrochem. Soc., 149, F98 (2002)
E. Kobeda, E.A. Irene. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 15 (1987)
О.В. Александров, Д.И. Дусь. ФТП, 42, 1400 (2008)
M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett., 42, 73 (1983)
K. Kajihara, M. Hirano, M. Uramoto, Y. Morimoto, L. Skuja, H. Hosono. J. Appl. Phys., 98, 013 527 (2005)
G. Holinger, F.J. Himpselk. Appl. Phys. Lett., 44, 93 (1984)
В.В. Монахов, О.В. Романов, С.Н. Кириллов, В.Я. Урицкий, В.А. Смирнов. ФТП, 20, 477 (1986)
A.R. Chowdhuri, D.-U. Jin, C.G. Takoudis. Thin Sol. Films, 457, 402 (2004)
E.A. Taft. J. Electrochem. Soc., 127, 993 (1980)
K. Nakamura, K. Ohmi, K. Yamamoto, K. Makihara, T. Ohmi. Jpn. J. Appl. Phys., 33, 500 (1994)
A. Fargeix, G. Ghibaudo. J. Appl. Phys., 56, 589 (1984)
B.J. Mrstik, G. Revesz, M. Ancona, H.L. Hughes. J. Electrochem. Soc., 134, 2020 (1987)
A.G. Revesz, H.L. Hughes. J. Non-Cryst. Sol., 254, 47 (1999)
A.G. Revesz, H.L. Hughes. J. Non-Cryst. Sol., 328, 48 (2003)
Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев, И.В. Матюшкин. ФТП, 37, 44 (2003)
B.J. Mrstik, P.J. McMarr. Phys. Rev. B, 48, 17 972 (1993)
Y. Sugita, S. Wananabe, N. Awaji, S. Komiya. Appl. Surf. Sci., 100/101, 268 (1996)
A.G. Revesz, W. Anwand, G. Brauer, H.L. Hughes, W. Scorupa. Appl. Surf. Sci., 194, 101 (2002)
Б.М. Аюпов, С.Ф. Девятова, В.Г. Ерков, Л.А. Семенова. Микроэлектроника, 37, 163 (2008)
A. Ourmazd, D.W. Taylor, J.A. Rentschler. Phys. Rev. Lett., 59, 213 (1987)
P.H. Fuoss, L.J. Norton, S. Brennan, A. Fischer-Colbrie. Phys. Rev. Lett., 60, 600 (1988)
А.В. Емельянов, В.В. Егоркин. Поверхность, N 11, 44 (1987)
K. Tatsumura, T. Watanabe, D. Yamasaki, T. Shimura, M. Umeno, I.A. Ohdomary. Jpn. J. Appl. Phys., 43, 492 (2004)
K. Imai, K. Yamabe. J. Appl. Phys., 83, 3849 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель