Влияние диэлектрической фазы на спектр фотолюминесценции фрактально структурированных нанокомпозитных пленок селенида свинца
Тропина Н.Э.1, Петровская З.Н.1, Черноглазова И.О.1
1Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Гириконд", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
Рассмотрены факторы, влияющие на поведение спектров спонтанной фотолюминесценции фрактально структурированных нанокомпозитных пленок селенида свинца, сформированных на стеклянных подложках с различным температурным коэффициентом линейного расширения. Показано, что положение максимума излучения существенно зависит от деформационного влияния стекловидной диэлектрической фазы на нанокластеры селенида свинца. PACS: 78.30.Fs, 78.55.Et, 61.43.Hv, 62.23.Pq, 81.16.-c
- Н.И. Горбунов, Л.К. Дийков, Ф.К. Медведев. Фотолюминесцентный излучатель, полупроводниковый фотоэлемент и октрон на их основе. Патент РФ на изобретение N 37575, приоритет от 05.02.2004
- С.П. Варфоломеев, Н.Э. Мазина. Датчики и системы, 6 (85), 22 (2006)
- А.Н. Тропин, Н.Э. Тропина. Компоненты и технологии, 11, (2008)
- K.J. Falconer. The Geometry of Fractal Sets (Cambridge, Cambridge University Press, 1985)
- А.И. Олемской, А.Я. Флат. УФН, 163 (12), (1993)
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968)
- G. Martinez. Phys. Rev. B, 8, 4686 (1973)
- Я.Л. Гиллер. Таблицы межплоскостных расстояний (М., Наука, 1966)
- Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.