Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 12 » Статья стр. 1634
<<<>>>
Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Юцене В.1, Сужеделис А.1, Школьник А.С.2,3, Михрин С.С.3, Михрин В.С.3
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Иннолюм, Дортмунд, Германия
Поступила в редакцию: 18 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.
PDF версия
Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей Inx и Iny в составе полупроводников, образующих квантовые ямы InxAl1-xAs/InyGa1-yAs. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах InyGa1-yAs от состава введенных в квантовые ямы InxAl1-xAs-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли Inx в составе барьеров. PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.63.Hs, 63.20.kd, 63.22.-m
  1. Ю. Пожела, К. Пожела, Р. Рагуотис, В. Юцене. ФТП, 43 (9), 1217 (2009)
  2. B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, 5899 (1982)
  3. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41 (9), 1093 (2007) [Semiconductors, 41 (9), 1074 (2007)]
  4. J. Pozela, V. Juciene, K. Pozela. Semicond. Sci. Technol., 10, 1555 (1995)
  5. L.F. Register. Phys. Rev. B, 45, 8756 (1992)
  6. N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  7. B.K. Ridley, M. Babiker, N.A. Zakhleniuk, C.R. Bennett. In: Proc. 23rd Int. Conf. "The Physics of Semiconductors" (Berlin, 1996) (Singapure, World Scientific, 1996) p. 1807
  8. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, С. Балакаускас, И.П. Евтихиев, А.С. Школьник, Ю. Стороста, А. Мекис. ФТП, 41, 1460 (2007)
  9. G.I. Ng, D. Pavlidis, V. Quillec, V.J. Chan, M.D. Jaffe, J. Singh. Appl. Phys. Lett., 52, 728 (1988)
  10. C.C. Eugster, T.P.E. Broekaert, J.A. del Alamo, C.G. Fonstad. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 707 (1991)
  11. T. Akazaki, K. Arai, T. Enoki. IEEE Electron. Dev. Lett., 13, 325 (1992)
  12. Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 362 (2006)
  13. В.Г. Мокеров, И.С. Васильевский, Г.Б. Галлиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич. ФТП, 43, 478 (2009)
  14. J. Pozela, K. Pozela, A. Suziedelis, V. Juciene, V. Petkun. Acta Phys. Poln. A, 113, 989 (2008)
  15. H. Rucker, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
  16. Insook Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
  17. M. Ilegems, G.L. Pearson. Phys. Rev. B, 1, 1576 (1970)
  18. B. Jusserand, A.J. Sapriel. Phys. Rev. B, 24, 7194 (1981)
  19. Z.C. Feng, S. Perkowitz, D.K. Kinell, R.L. Whitney, D.N. Talwar. Phys. Rev. B, 47, 13 466 (1993)
  20. Ю. Питер, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002) с. 128, 129 и 209
  21. T.P. Pearsall, R. Carles, J.S. Portal. Appl. Phys. Lett., 42, 436 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme