Вышедшие номера
Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем
Орлов А.Ф.1, Балагуров Л.А.1, Кулеманов И.В.1, Пархоменко Ю.Н.1, Картавых А.В.2, Сарайкин В.В.3, Агафонов Ю.А.4, Зиненко В.И.4
1Государственный научно-исследовательский институт редкометаллической промышленности "ГИРЕДМЕТ", Москва, Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
4Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Исследованы профили респределения примесей и сопротивления растекания в слоях ферромагнитного кремния, полученных имплантацией Mn (или Co). Стандартные пластины полупроводникового кремния n- и p-типа проводимости с высоким и низким удельным электросопротивлением были имплантированы ионами Mn дозами (1-5)·1016 см-2. Обнаружено, что в результате постимплантационного отжига в вакууме при 850oC в течение 5 мин Mn проявляет свойства амфотерной примеси и компенсирует акцепторы в высокоомном p-Si и доноры в низкоомном n-Si. Показано, что только незначительная часть ионов Mn, 1-2%, проявляет электрическую активность и участвует в компенсации. По величине компенсации определены энергии уровней Ec-0.12 эВ для n-Si и Ev+0.32 эВ для p-Si, принадлежащих ионам Mn в положениях внедрения в кристаллической решетке кремния, соответственно (Mni)-/0 и (Mni)+/++.