Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации

Феклистов К.В.¹, Федина Л.И.¹, Черков А.Г.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 9 июля 2009 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Преципитация бора, имплантированного в Si с дозой 1·10¹⁶см^-2, исследована в зависимости от концентрации узлового бора (C_B₀), введенного до имплантации, и последующего отжига при 900^oC. Показано, что C_B₀=2.5·10²⁰см^-3 является критическим значением, при котором образование преципитатов не зависит от концентрации точечных дефектов, введенных имплантацией ( вдали или вблизи от среднего проецированного пробега R_p), и является доминирующим каналом деактивации бора. При меньших значениях C_B₀, приближающихся к равновесному значению, преципитация наблюдается лишь вдали от R_p, в областях с пониженной концентрацией точечных дефектов. В то время как в области R_p с высокой концентрацией точечных дефектов большая часть атомов бора вовлекается в кластеризацию собственных межузельных атомов с образованием дислокационных петель и также становится электрически неактивной.

W.K. Hofker, H.W. Werner, D.P. Osthoek, N.J. Koeman. Appl. Phys., 4, 125 (1974)
E. Landi, A. Armigliato, S. Solmi, R. Kogler, E. Wieser. Appl. Phys. A, 47, 359 (1988)
S. Solmi, E. Landi, F. Baruffaldi. J. Appl. Phys., 68, 3250 (1990)
А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Х. Барч, Д. Хеэль. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991) с. 45. [A. Aseev, L. Fedina, D. Hoehl, H. Barch. Clusters of Interstitial Atoms in Silicon and Germanium (Berlin, Academy Verlag, 1994) p. 59]
Л.И. Федина, А.Л. Асеев. ФТТ, 32, 60 (1990)
G. Mannino, V. Privitera, S. Solmi, N. Cowern. Nucl. Instrum Meth. Phys. Res. B, 186, 246 (2002)
E.J. Collart, A.J. Murrell, M.A. Foad, J.A. van den Berg, S. Zhang, D. Armour, R.D. Goldberg, T.S. Wang, A.G. Cullis, T. Clarysse, W. Vandervorst. J. Vac. Technol. B, 18, 435 (2000)
F. Cristiano, X. Hebras, N. Cherkashin, A. Claverie, W. Lerch, S. Paul. Appl. Phys. Lett., 83, 5407 (2003)
L. Pelaz, G.H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C.S. Rafferty, M. Jaraiz, J. Barbolla. Appl. Phys. Lett., 74, 3657 (1999)
W. Windl, Xiang-Yang Liu, M.P. Masquelier. Phys. Status Solidi B, 226, 37 (2001)
A.L. Aseev, V.M. Astachov, O.P. Pcheljakov, J. Heydenreich, G. Kastner, D. Hoehl. Cryst. Res. Technol., 14, 1405 (1979)
S. Takeda, M. Kohyama, K. Ibe. Phil. Mag. A, 70, 287 (1994)
D.J. Eaglesham, P.A. Stolk, H.-J. Gossmann, T.E. Haynes, J.M. Poate. Nucl. Instrum Meth. Phys. Res. B, 106, 191 (1995)
L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. van Landuyt, J. Vanhellemont. Phys. Status Solidi A, 171, 147 (1999)
L. Fedina, A. Aseev. Phys. Status Solidi A, 95, 517 (1986)
S.M. Myers, G.A. Petersen, T.H. Headley, J.R. Michael, T.S. Aselage, C.H. Seager. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 127/128, 291 (1997)
I. Mizushima, Y. Mitani, M. Koike, M. Yoshiki, M. Tomita, Kambayashi. Jpn. J. Appl. Phys., 37, 1171 (1998)
J. Xia, T.Saito, R. Kim, T. Aoki, Y. Kamakura, K. Taniguchi. Appl. Phys., 85, 7597 (1999)
А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. ФТП, 31, 703 (1997)
В.И. Ободников, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 417 (1998)
J. Zhu, T.D. dela Rubia, L.H. Yang, C. Mailhiot, G.H. Gilmer. Phys. Rev. B, 54, 4741 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель