Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-CdS/p-CdTe в зависимости от температуры

Усмонов Ш.Н.¹, Мирсагатов Ш.А.¹, Лейдерман А.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 18 мая 2009 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

PDF версия

Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктуры n-CdS/p-CdTe при различных значениях температуры. Установлено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0.5 В) описывается экспоненциальной зависимостью, а при больших (до 2.6 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких центров растет с ростом температуры.

K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Holliday. J. Cryst. Growth, 197, 733 (1999)
M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3503 (1999)
С.А. Музафарова, Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жаноберганов. ФТТ, 49 (6), 1111 (2007)
Х.Х. Исмаилов, А.М. Абдугафуров, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ, 50 (11), 1953 (2008)
В.И. Стафеев. ЖТФ, 28 (9), 1631 (1958)
K. Ohata, J. Sarate, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 12, 1641 (1973)
Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорг. матер., 41, 915 (2005)
Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)
Физика и химия соединений A^IIB^VI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
L.W. Davies. Proc. IEEE, 51, 1637 (1963)
А. Фаренбурх, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)
С.А. Музафарова, Ш.А. Мирсагатов, Ф.Н. Джамалов. ФТП, 43 (2), 187 (2009)
K. Zanio. In: Semiconductors and Semimals, v. 4 (Academic Press, 1978)
С.А. Музафарова, Б.У. Айтбаев, Ш.А. Мирсагатов, К. Дуршимбетов, Ж. Жанабергенов. ФТП, 42 (12), 1409 (2008)
A.Yu. Leyderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Sol. St. Commun., 27, 339 (1976).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель